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公开(公告)号：CN103855119A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210524408.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 古原健二
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体模块、半导体装置及其制造方法；该半导体模块具有：引线框架，其具有安装有功率元件的第一模具垫，安装有控制元件的第二模具垫，以及外部端子；金属线，其作为电接线；以及，树脂封装体，其使引线框架的外部端子突出并进行封装；其中，第二模具垫通过保持引线与引线框架连接。通过本发明实施例，可以保持安装有控制元件的模具垫在框体上稳定的支撑，保证制造时的振动不会使金属线断开。
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公开(公告)号：CN206401310U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621209855.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 古原健二
IPC: H01L23/40 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提供半导体装置和组装体，通过减小螺钉头部的突出，缩短外部端子的长度来提高半导体装置整体的散热性和可靠性。本实用新型的半导体装置是树脂密封型半导体装置，该半导体装置具有：散热基板，其在一个主面上载置有半导体元件；密封体，其以露出散热基板的另一个主面的方式进行密封；以及外部端子，其从密封体的侧面突出，朝向与散热基板的露出面侧相反侧的方向弯折并延伸，该半导体装置的特征在于，在密封体的长边方向的相对的端部配置有螺钉孔，在所述密封体的与散热基板的露出面侧相反侧的表面上，在螺钉孔的周围设置有用于收纳并支撑螺钉头部的凹部。
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公开(公告)号：CN203690284U
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201420035233.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/29
CPC classification number: H01L2224/32245
Abstract: 本实用新型提供半导体装置，通过由无机绝缘层和金属层构成的散热板来实现了高动作可靠性。该半导体装置具有：半导体元件；下垫板，其在一个主面上隔着导电性粘合剂载置了半导体元件；外部引线，其具有下垫板；散热板，其在一个主面上隔着导电性粘合剂载置了下垫板，该半导体装置被构成为，以散热板的另一个主面露出的方式利用树脂将半导体元件、下垫板和散热板密封，其中，散热板在无机绝缘层的一个主面以及无机绝缘层的与一个主面相对的另一主面具有金属层，无机绝缘层的水平投影面积比金属层的水平投影面积大，在散热板的侧表面具有无机绝缘层的突出部。
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公开(公告)号：CN204760376U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520157625.9
申请日：2015-03-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/48
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：第一内部引线；第二内部引线，其与所述第一内部引线分开设置；以及电子元件，其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线；其中，所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构，并且，所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一平面，并且，所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。根据本实用新型实施例，能够缓和电子元件与内部引线的连接部位的应力，提高电子元件的稳固性。
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公开(公告)号：CN205488099U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201620256676.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/48137
Abstract: 半导体装置。在搭载多个面积较大的半导体芯片的情况下，散热板增大，其结果是存在如下课题：外围体的横向尺寸增大，从而导致在印刷基板上的安装空间增大。本实用新型的半导体装置具有：相互分离地配置的多个散热板；多个外部引线；搭载于散热板上的半导体芯片；以及外围体，其对散热板、外部引线以及半导体芯片进行密封，外部引线沿着一方的散热板的端部在第1方向上并列配置，一方的散热板和另一方的散热板在与第1方向交叉的第2方向上并列配置，与一方的散热板连接的第1连接引线和与另一方的散热板连接的第2连接引线分别被配置于另一方的散热板和一方的散热板的侧方并在第2方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202977407U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220674644.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 古原健二
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种半导体模块，包括功率元件和控制元件，所述半导体模块具有：引线框架，其具有安装有功率元件的第一模具垫，安装有控制元件的第二模具垫，以及外部端子；金属线，其作为电接线；以及树脂封装体，其使引线框架的外部端子突出并进行封装；其中，在引线框架上具有框架垫部，金属线经由框架垫部而电连接功率元件和控制元件。通过本实用新型，控制元件和功率元件不再直接相连，可以切断功率元件产生的热量的传递，防止功率元件发出的热量直接传递到控制元件。
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公开(公告)号：CN205104481U
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201520920392.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，其防止了空隙和焊缝的产生，可靠性高。本实用新型的半导体装置具有：半导体元件；引线框架，其在主面上载置有半导体元件，并且具有外部引线；以及使外部引线从密封树脂体突出而进行密封的结构，该半导体装置的特征在于，引线框架的与外部引线相对的前端接近密封树脂体的处于密封树脂的填充浇口处的端部，密封树脂体在与密封树脂的填充方向垂直的方向上的端部具有流动抑制部，所述流动抑制部用于抑制密封树脂的流动。另外，该半导体装置的特征在于，流动抑制部是阶梯形状或锥形状。
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公开(公告)号：CN203562422U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320739156.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一模具垫；半导体元件，设置于所述第一模具垫的一侧的主平面上；第二模具垫；以及热敏电阻，以靠近所述半导体元件的方式，设置于所述第二模具垫的朝向所述半导体元件的一侧的主平面上。通过本实用新型，缩短了从半导体元件到热敏电阻的热路径，从而提高了热敏电阻的热敏感性。
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公开(公告)号：CN203013709U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220672816.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 古原健二
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，包括功率元件和控制元件，所述半导体装置具有：引线框架，其具有安装有功率元件的第一模具垫，安装有控制元件的第二模具垫，以及外部端子；金属线，其作为电接线；以及树脂封装体，其使引线框架的外部端子突出并进行封装；其中，外部端子与功率元件之间使用粗的金属线连接，功率元件与第二模具垫之间使用细而且硬的金属线连接。通过本实用新型，可以防止在制造时金属线变形或断开；并且，细的金属线可以压缩从控制元件产生的导热路径，防止热量的传导而且成本较低。
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