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公开(公告)号：CN203562422U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320739156.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一模具垫；半导体元件，设置于所述第一模具垫的一侧的主平面上；第二模具垫；以及热敏电阻，以靠近所述半导体元件的方式，设置于所述第二模具垫的朝向所述半导体元件的一侧的主平面上。通过本实用新型，缩短了从半导体元件到热敏电阻的热路径，从而提高了热敏电阻的热敏感性。
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