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公开(公告)号：CN203910779U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420348295.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。在焊锡熔融时，存在剩余焊锡与相邻的芯片承载的焊锡或者芯片承载接触而电短路的危险。本实用新型的半导体装置的特征在于，具备：引线框架，其具有芯片承载和端子；半导体芯片，其搭载于芯片承载的上表面；以及树脂封装体，其覆盖半导体芯片、芯片承载和端子的上表面，该半导体装置具有搭载多行多列(至少两行两列)的芯片的芯片承载，并且是使至少一处以上的芯片承载的背面从封装背面露出的HOSN封装，所述半导体装置具有焊锡引导路，该焊锡引导路以芯片承载下的焊锡不会流动至相邻的芯片承载的方式使剩余的焊锡流动。
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