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公开(公告)号：CN102420196A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110287851.5
申请日：2011-09-26
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L2224/32245 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体模块的设计方法、半导体模块。可低成本地得到安装有采用化合物半导体或金刚石等的高性能功率半导体元件的半导体模块。在该半导体模块(10)中，在单个引线框(11)上，以纵横方向各排列2个的方式安装有同一规格的4个二极管芯片(半导体芯片)(12)。为了低成本地得到该半导体模块(10)，需要同时增高二极管芯片(12)的成品率，并且减少无用区域。因此，作为用于对此进行决定的指数，采用芯片成品率(YDie)与活性区域面积比(RA)的乘积是有效的。如果根据所使用的晶片的结晶缺陷密度，设定使得该指数变高、即接近峰值的芯片尺寸，则能够以高成品率得到半导体模块(10)。
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公开(公告)号：CN205104480U
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201520920357.1
申请日：2015-11-18
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/37124 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，对于确保大电流容量的市场要求，无需多次进行较粗铝线的引线接合，即可确保大电流容量。本实用新型的半导体装置具有：半导体元件、引线框架、将所述半导体元件和所述引线框架电连接的导电部件、以及以包围所述半导体元件的方式配置的壳体，该半导体装置使用密封体对被所述壳体包围的区域进行密封，所述半导体装置的特征在于，所述导电部件具有：板状的一对连接部；板状的一对桥墩部，其与所述连接部的一端相连结，并且形成为从连接部向上方立起；以及板状的桥板部，其连结所述一对桥墩部的上端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204905234U
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201520714491.6
申请日：2015-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/02
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，所述半导体装置具有：基板，其载置有半导体元件；外壳，其配置于所述基板上，并以包围所述半导体元件的方式设置；以及覆盖板，其配置于所述外壳上；其中，所述半导体装置还具有电力用端子以及信号用端子，所述电力用端子的截面面积比所述信号用端子的截面面积大，并且所述信号用端子所使用材料的机械强度大于所述电力用端子所使用材料的机械强度。通过本实用新型，不但较细的端子能维持机械强度而不容易发生变形，而且能够降低端子的成本。
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公开(公告)号：CN204905235U
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201520714817.5
申请日：2015-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/04
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和覆盖板。所述半导体装置具有：基板，其载置有半导体元件；外壳，其配置于所述基板上，并以包围所述半导体元件的方式设置；以及覆盖板，其配置于所述外壳上；其中，所述覆盖板包括：遮挡部，其由被树脂封装的金属板构成；以及螺钉固定部，其与所述金属板连接且不被所述树脂封装。通过本实用新型，在将半导体装置通过螺钉固定到产品基板上时，可以确切地在产品上进行接地。
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公开(公告)号：CN204706561U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520454750.6
申请日：2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/32225
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备，所述半导体装置包括：半导体元件、绝缘基板以及散热板，其中，所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层，所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层，所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件，所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板，所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔，在所述通孔内设置有金属连接部。能够在基板的厚度方向上布置地线，从而使得基板的面积小型化，另外，能够有效提高半导体装置的散热性能。
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公开(公告)号：CN204706560U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520456149.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/85181 , H01L2224/85385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：基板；半导体元件，其设置于所述基板上；树脂成型框架，其以围绕所述半导体元件的方式设置于所述基板上；焊接电极，其设置于所述树脂成型框架上；以及引线，其连接所述半导体元件以及所述焊接电极；其特征在于，所述焊接电极向所述半导体装置的内侧倾斜。根据本实用新型实施例的半导体装置的结构，能够确保树脂成型框架的壁部的厚度且避免焊接工具与该壁部之间的干扰。
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公开(公告)号：CN204706554U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520455492.3
申请日：2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备，所述半导体装置包括：半导体元件、绝缘基板以及散热板，其中，所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层，所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层，所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件，所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板，所述第1金属层设置在与所述半导体元件在水平面上的投影区域相同的区域上，所述第2金属层设置在与所述散热板连接面的整个面上。能够有效提高半导体装置的散热性能。
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