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公开(公告)号：CN101145579A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710149391.3
申请日：2007-09-12
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/781 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS－LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS－LDMOS器件还有一个结合的陷阱－沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱－沟道区起埋置的源－体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱－沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱－沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源－漏电容。
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公开(公告)号：CN101794776B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010116465.5
申请日：2007-09-12
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L29/781 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明为含逆槽沟、源极接地及源体短路电极的半导体器件及方法。本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS-LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS-LDMOS器件还有一个结合的陷阱-沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱-沟道区起埋置的源-体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱-沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱-沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源-漏电容。
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公开(公告)号：CN101083239A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710109255.1
申请日：2007-05-25
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/85201 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明披露了一种与Cu焊接相容的焊接垫板结构和相应的方法。该器件焊接垫板结构包括一种过渡缓冲结构，由各互连金属区和各不导电钝化材料区构成，该过渡缓冲结构提供了对于下埋各层和器件结构的缓冲隔离。
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公开(公告)号：CN101388407B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710147440.X
申请日：2007-09-12
申请人： 万国半导体股份有限公司
发明人： 弗兰克斯·赫尔伯特
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 本发明披露一种采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管(MOSFET)结构，它包括的槽沟门极被源极区围绕，并被漏极区下面的体区包围，该源极设置在基底底面上。该MOSFET还包括一个屏蔽的门极槽沟(SGT)结构，设置在槽沟门极下面并与之绝缘。该SGT结构实际上形成一个圆孔，其横向张开的程度超过了槽沟门极并被介电的衬垫层覆盖，其中充入槽沟门极材料。该圆孔在槽沟门极底部用各向同性蚀刻来形成，并用氧化物绝缘层与槽沟门极绝缘。该圆孔横向张开程度超过了槽沟壁，起了垂直排列路标的作用，来控制槽沟门极的深度。该MOSFET的门极到漏极的电容(Cgd)被减小，取决于槽沟门极的可控深度。
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公开(公告)号：CN100517675C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710109255.1
申请日：2007-05-25
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/85201 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明披露了一种与Cu焊接相容的焊接垫板结构和相应的方法。该器件焊接垫板结构包括一种过渡缓冲结构，由各互连金属区和各不导电钝化材料区构成，该过渡缓冲结构提供了对于下埋各层和器件结构的缓冲隔离。
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公开(公告)号：CN101145579B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710149391.3
申请日：2007-09-12
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/781 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS-LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS-LDMOS器件还有一个结合的陷阱-沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱-沟道区起埋置的源-体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱-沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱-沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源-漏电容。
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公开(公告)号：CN101276740A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087020.1
申请日：2008-03-28
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L21/3043 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种制造减薄的半导体装置的方法。从具有预制的前侧装置的晶圆开始，该方法包括：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，制成一个减薄区域，同时在晶圆外围保留原始晶圆厚度，用作结构加强；在晶圆背侧形成电阻连接；分离并收集预制装置。该方法进一步包括：把晶圆背侧临时粘结到单侧分割带上，并通过分割框架进行支撑；采用一个背衬金属板，以匹配减薄的晶圆中央区域；将分割带夹在晶圆和背衬金属板之间，然后下压分割带以粘结晶圆；采用一个台阶外形体来支撑晶圆背侧，在一个分割操作中，将预制装置之间分离开并从晶圆外围分离出预制装置，分割深度略大于晶圆中央区域；然后拾取并收集分离出的减薄半导体装置。
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公开(公告)号：CN101276740B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810087020.1
申请日：2008-03-28
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L21/3043 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种制造减薄的半导体装置的方法。从具有预制的前侧装置的晶圆开始，该方法包括：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，制成一个减薄区域，同时在晶圆外围保留原始晶圆厚度，用作结构加强；在晶圆背侧形成电阻连接；分离并收集预制装置。该方法进一步包括：把晶圆背侧临时粘结到单侧分割带上，并通过分割框架进行支撑；采用一个背衬金属板，以匹配减薄的晶圆中央区域；将分割带夹在晶圆和背衬金属板之间，然后下压分割带以粘结晶圆；采用一个台阶外形体来支撑晶圆背侧，在一个分割操作中，将预制装置之间分离开并从晶圆外围分离出预制装置，分割深度略大于晶圆中央区域；然后拾取并收集分离出的减薄半导体装置。
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公开(公告)号：CN101794776A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010116465.5
申请日：2007-09-12
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L29/781 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明为含逆槽沟、源极接地及源体短路电极的半导体器件及方法。本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS-LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS-LDMOS器件还有一个结合的陷阱-沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱-沟道区起埋置的源-体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱-沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱-沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源-漏电容。
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公开(公告)号：CN101388407A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710147440.X
申请日：2007-09-12
申请人： 万国半导体股份有限公司
发明人： 弗兰克斯·赫尔伯特
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 本发明披露一种采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管(MOSFET)结构，它包括的槽沟门极被源极区围绕，并被漏极区下面的体区包围，该源极设置在基底底面上。该MOSFET还包括一个屏蔽的门极槽沟(SGT)结构，设置在槽沟门极下面并与之绝缘。该SGT结构实际上形成一个圆孔，其横向张开的程度超过了槽沟门极并被介电的衬垫层覆盖，其中充入槽沟门极材料。该圆孔在槽沟门极底部用各向同性蚀刻来形成，并用氧化物绝缘层与槽沟门极绝缘。该圆孔横向张开程度超过了槽沟壁，起了垂直排列路标的作用，来控制槽沟门极的深度。该MOSFET的门极到漏极的电容(Cgd)被减小，取决于槽沟门极的可控深度。
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