本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS-LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS-LDMOS器件还有一个结合的陷阱-沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱-沟道区起埋置的源-体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱-沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱-沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源-漏电容。