公开(公告)号：CN102177593A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980139859.8

申请日：2009-10-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  上野昌纪 ,  京野孝史

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管(11a)包括半导体区域(13)、InGaN层(15)及活性层(17)。半导体区域(13)具有表现出半极性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半导体区域(13)的主面(13a)相对于与该主面(13a)的[0001]轴方向的基准轴Cx正交的平面Sc以角度α倾斜。半导体区域(13)的厚度D13大于InGaN层(15)的厚度DInGaN，且InGaN层(15)的厚度DInGaN为150nm以上。InGaN层(15)设置于半导体区域(13)的主面13a的正上方，且与主面(13a)相接。活性层(17)设置于InGaN层(15)的主面15a上，且与该主面(15a)接触。活性层(17)包含InGaN阱层(21)。

公开(公告)号：CN101902014A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194776.3

申请日：2010-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  太田征孝

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/343 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案而提供提高的发光效能。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体芯片)具有：n型GaN基板10，具有在a轴方向上相对于m面具有偏角的面作为主生长面10a；和氮化物半导体层20，形成于n型GaN基板10的主生长面10a上。n型GaN基板10包括：凹陷部2(雕刻区域3)，在厚度方向上从主生长面10a被雕刻；和未雕刻区域4，是未被雕刻的区域。形成于n型GaN基板10上的氮化物半导体层20具有其厚度以梯度方式朝向凹陷部2(雕刻区域3)减小的梯度厚度区域5和其厚度变化非常小的发射部形成区域6。在发射部形成区域6中，形成脊部28。

公开(公告)号：CN101132118B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710147710.7

申请日：2007-08-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 竹内哲也

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/105 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/3436

Abstract: 公开了一种光学设备，包括具有光学厚度不为λ/4的层的多层反射器，以及一种使用这种光学设备的垂直腔面发射激光器。能够抑制由λ/4光学厚度的偏差造成的共振频率偏移或反射率下降，从而改善性能和产量。用于产生波长λ的光的光学设备包括反射器和活性层。反射器为半导体多层反射器，包含被交替层压并具有不同折射率的第一层和第二层。第一层具有小于λ/4的光学厚度。第二层具有大于λ/4的光学厚度。在第一层和第二层之间的界面位于既不在反射器内光强分布的波节的位置也不在波腹的位置。

公开(公告)号：CN101689749A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880017940.4

申请日：2008-05-28

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： R·巴特 ,  J·内皮尔拉 ,  D·兹佐夫 ,  C-E·扎

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173

Abstract: 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。

公开(公告)号：CN101316026A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810099971.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下文雄 ,  伊藤茂稔 ,  山本秀一郎 ,  川上俊之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。

公开(公告)号：CN101047301A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN100337338C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200410063346.2

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。

公开(公告)号：CN1998116A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580001466.2

申请日：2005-02-24

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： 阿施史·唐顿 ,  迈克尔·霍华德·利里 ,  迈克尔·赖奈·梯·泰恩 ,  英-兰·昌

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/3201

Abstract: 一种应变补偿结构(112)，包括与氧化物形成层(106)相邻的应变补偿层(104)。应变补偿层(104)补偿由于至少部分氧化物形成层(106)氧化所引起的晶格参数的变化。

公开(公告)号：CN1661869A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510056521.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。

公开(公告)号：CN1525578A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410003720.X

申请日：1996-11-06

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中村修二 ,  长滨慎一 ,  岩佐成人

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L31/0264

CPC classification number: H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3206 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3413 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。