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公开(公告)号：CN103119809B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180045031.3
申请日：2011-09-13
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3211
摘要： 基于第III族氮化物的激光二极管包含由n-掺杂的(Al,In)GaN形成的n-侧包覆层、由n-掺杂的(Al)InGaN形成的n-侧波导层、有源区、由p-掺杂的(Al)InGaN形成的p-侧波导层以及由p-掺杂的(Al,In)GaN形成的p-侧包覆层。通过操作n-侧波导层的铟浓度和厚度，使光模块移离p-型层中的高受体浓度。调节p-侧包覆层和p-侧波导层中的掺杂剂和组成分布，以降低光损耗并增加电光转化效率。
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公开(公告)号：CN102246369A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980151576.5
申请日：2009-12-14
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/041 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/34333
摘要： 提供了包括有源和/或无源MQW区的多量子阱激光器结构。每个MQW区包括多个量子阱和介于其间的势垒层。毗邻的MQW区被间隔层分开，间隔层比介于MQW之间的势垒层厚。量子阱的带隙低于介于其间的势垒层和间隔层的带隙。有源区可包括有源和无源MQW，且被配置用于光子的电泵浦受激发射，或它可包括被配置用于光子的光泵浦受激发射的有源MQW区。
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公开(公告)号：CN102246369B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980151576.5
申请日：2009-12-14
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/041 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/34333
摘要： 提供了包括有源和/或无源MQW区的多量子阱激光器结构。每个MQW区包括多个量子阱和介于其间的势垒层。毗邻的MQW区被间隔层分开，间隔层比介于MQW之间的势垒层厚。量子阱的带隙低于介于其间的势垒层和间隔层的带隙。有源区可包括有源和无源MQW，且被配置用于光子的电泵浦受激发射，或它可包括被配置用于光子的光泵浦受激发射的有源MQW区。
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公开(公告)号：CN101689749B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200880017940.4
申请日：2008-05-28
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3216 , H01S2301/173
摘要： 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。
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公开(公告)号：CN103026561B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180026342.5
申请日：2011-05-26
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S2301/173
摘要： 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1×106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。
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公开(公告)号：CN103119809A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045031.3
申请日：2011-09-13
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3211
摘要： 基于第III族氮化物的激光二极管包含由n-掺杂的(Al,In)GaN形成的n-侧包覆层、由n-掺杂的(Al)InGaN形成的n-侧波导层、有源区、由p-掺杂的(Al)InGaN形成的p-侧波导层以及由p-掺杂的(Al,In)GaN形成的p-侧包覆层。通过操作n-侧波导层的铟浓度和厚度，使光模块移离p-型层中的高受体浓度。调节p-侧包覆层和p-侧波导层中的掺杂剂和组成分布，以降低光损耗并增加电光转化效率。
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公开(公告)号：CN103026561A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180026342.5
申请日：2011-05-26
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S2301/173
摘要： 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1x106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。
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公开(公告)号：CN101689749A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880017940.4
申请日：2008-05-28
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3216 , H01S2301/173
摘要： 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。
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