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公开(公告)号：CN1998116A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580001466.2
申请日：2005-02-24
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor： 阿施史·唐顿 , 迈克尔·霍华德·利里 , 迈克尔·赖奈·梯·泰恩 , 英-兰·昌
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01S5/18313 , H01S5/3201
Abstract: 一种应变补偿结构(112)，包括与氧化物形成层(106)相邻的应变补偿层(104)。应变补偿层(104)补偿由于至少部分氧化物形成层(106)氧化所引起的晶格参数的变化。
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