公开(公告)号：CN103582944B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280026880.9

申请日：2012-05-23

申请人： 美光科技公司

发明人： 迈克尔·A·史密斯 ,  艾瑞克·H·福瑞曼

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 导电结构包含多个导电台阶及至少部分地延伸穿过所述多个导电台阶的触点，所述触点与所述多个导电台阶中的至少一者连通且与所述导电台阶中的至少另一者绝缘。装置可包含此些导电结构。系统可包含半导体装置及阶梯状导电结构，所述阶梯状导电结构具有延伸穿过所述阶梯状导电结构的台阶的多个触点。形成导电结构的方法包含在穿过导电结构的至少一个导电台阶形成的接触孔中形成触点。在阶梯状导电结构中形成电连接的方法包含在穿过所述阶梯状导电结构的每一台阶形成的接触孔中形成触点。

公开(公告)号：CN103038882B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201180037212.1

申请日：2011-06-24

申请人： 美光科技公司

发明人： 山·D·唐 ,  约翰·K·查胡瑞

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11582 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926 ,  H01L45/06

摘要： 一些实施例包含一种存储器装置及形成所述存储器装置的方法。一个此种存储器装置包含存储器单元的第一群组，所述第一群组的所述存储器单元中的每一者形成于位于所述存储器装置的一个装置层级中的第一控制栅极的腔中。所述存储器装置还包含存储器单元的第二群组，所述第二群组的所述存储器单元中的每一者形成于位于所述存储器装置的另一装置层级中的第二控制栅极的腔中。本发明还描述额外设备及方法。

公开(公告)号：CN106024798A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610200759.3

申请日：2016-03-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜周宪 ,  车俊昊 ,  玄忠一

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

摘要： 提供一种半导体存储器件，包括：基板；层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的栅电极；竖直沟道部，穿过栅电极；掺杂区，提供在层叠结构的侧部的基板中；公共源极插塞，在基板上并电连接到掺杂区；单元接触插塞，分别连接到栅电极。公共源极插塞的顶表面处于与所述单元接触插塞的顶表面不同的水平处。

公开(公告)号：CN102737717B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210102111.4

申请日：2012-04-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟泳 ,  崔明勋

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC分类号： G11C16/08 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

摘要： 根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件可以包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将多个驱动信号传送到所述多个存储块当中的被选存储块。传输晶体管阵列包括高电压晶体管，该高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极。

公开(公告)号：CN105914184A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201510385424.9

申请日：2015-06-30

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 赖二琨 ,  蒋光浩

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/71 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4916 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/71 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0603

摘要： 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置的制造方法包括下列步骤。形成二堆叠结构于一基板之上。各个堆叠结构包括多个栅极层、多个栅极绝缘层及一顶部绝缘层；形成一电荷捕捉结构及一通道层，该电荷捕捉结构包括多个第一介电层及多个第二介电层；刻蚀部分的各个第一介电层，并刻蚀部分的各个第二介电层，以暴露出部分的通道层；形成一接垫层于第一介电层及第二介电层上，以连接通道层。

公开(公告)号：CN103985697B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310255743.9

申请日：2013-06-25

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 施彦豪 ,  萧逸璿 ,  陈治平

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

摘要： 本发明公开了一种互连接触结构及其制造方法，该制造方法包括形成由多个半导体接触垫构成的一叠层，半导体接触垫耦合于一电路的各个有源层。半导体接触垫包括多个外周围，各个外周围具有一侧壁，侧壁耦合于各个有源层。杂质是沿着外周围注入以形成多个外周围低电阻区域于接触垫上。接着在半导体接触垫构成的叠层中形成多个开口，开口暴露一用于对应的半导体接触垫上的层间导体的着陆区且定义一内周围于至少一半导体接触垫上。经由注入杂质以沿着内周围形成多个内周围低电阻区域用于层间导体接触，内周围低电阻区域系连续地且与对应的外周围低电阻区域重叠。

公开(公告)号：CN103594475B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310581642.0

申请日：2013-11-18

申请人： 唐棕

发明人： 李迪

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L21/76879 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66666

摘要： 公开了一种半导体器件及其制造方法，其中所述半导体器件包括：第一区域，第一区域包括堆叠的多个器件单元，所述多个器件单元的相邻器件单元由层间绝缘层隔开，并且每一个器件单元包括相应的栅极导体；以及第二区域，第二区域与第一区域邻接，所述层间绝缘层和所述栅极导体从第一区域延伸至第二区域，第二区域包括分别将栅极导体与导线相连接的导电通道，其中，所述第二区域还包括用于支撑所述层间绝缘层和所述栅极导体的支撑柱。该支撑柱在制造工艺中为悬空层提供了机械支撑，并且在最终的器件中还用于支撑栅极导体，从而提高了半导体器件的良率和可靠性。

公开(公告)号：CN105845687A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610065378.9

申请日：2016-01-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金载镐 ,  杨尚烈 ,  李雄 ,  林升炫

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L27/11551

摘要： 本发明公开了一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：堆叠件，其包括以交替和重复方式堆叠在衬底上的栅电极和绝缘层。单元沟道结构穿过堆叠件。单元沟道结构包括接触衬底的第一半导体图案和在第一半导体图案上的第一沟道图案。第一半导体图案延伸至从衬底的表面至第一半导体图案的顶表面的第一高度。伪沟道结构位于衬底上并且与堆叠件间隔开。伪沟道结构包括接触衬底的第二半导体图案和在第二半导体图案上的第二沟道图案。第二半导体图案延伸至从衬底的表面至第二半导体图案的顶表面的第二高度。第一高度大于第二高度。

公开(公告)号：CN105845681A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510013033.4

申请日：2015-01-12

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 朱建隆 ,  陈俊宏 ,  邱达乾

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该存储器包括基底、堆叠结构、通道层与第二介电层。堆叠结构包括第一介电层与多个存储单元。第一介电层设置于基底上。存储单元堆叠设置于第一介电层上。各个存储单元包括二层第一导体层与电荷存储结构。电荷存储结构设置于第一导体层之间。垂直相邻的存储单元中的电荷存储结构彼此隔离。通道层设置于堆叠结构的侧壁上，且连接于基底。第二介电层设置于通道层与第一导体层之间。

公开(公告)号：CN102760661B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210132762.8

申请日：2012-04-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑淑真 ,  李钟喆 ,  金润洙 ,  柳次英 ,  姜相列

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7926

摘要： 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。