形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法

发明授权

CN102760661B 形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法有权

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专利标题： 形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法
申请号： CN201210132762.8

申请日： 2012-04-28
公开(公告)号： CN102760661B

公开(公告)日： 2016-08-03
发明人: 郑淑真 , 李钟喆 , 金润洙 , 柳次英 , 姜相列
申请人： 三星电子株式会社
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 金拟粲
优先权： 10-2011-0040329 2011.04.28 KR; 10-2012-0028397 2012.03.20 KR
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316 ; H01L21/02

形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法

摘要：

形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。

公开/授权文献

CN102760661A 形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法公开/授权日：2012-10-31

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层