公开(公告)号：CN105643822A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610152347.7

申请日：2016-03-17

Applicant: 邢台晶龙电子材料有限公司

Inventor： 王会敏 ,  何京辉 ,  张瑞强 ,  张建龙

IPC: B28D7/04 ,  C30B33/06

CPC classification number: B28D7/04 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅棒机械粘接设备，涉及单晶硅棒加工技术领域，包括第一平板、第二平板、电磁吸盘、立柱、回转台、调整平台、升降丝杠、底座和工作台，晶托吸附在电磁吸盘下面，通过回转台和调整平台将单晶硅棒和晶托对齐，升降丝杠带动第二平板、电磁吸盘和晶托升降下压。本发明通过传感器、传动机构和调整平台实现了准确地将单晶硅棒和晶托调整至相同位置后机械粘接，加工效率和加工精度都得到了极大的提升，同时降低了对工人的要求，操作方便，保证了后续开方工序的稳定生产。

公开(公告)号：CN105518188A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480045121.6

申请日：2014-06-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西本正俊 ,  白井雄 ,  山口清雄 ,  设乐卓巳

IPC: C30B29/18

CPC classification number: C30B33/06 ,  C30B7/10 ,  C30B29/18 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供一种难以产生轴错移的大型的人造水晶的培育方法。人造水晶的培育方法包括：施加使大致长方体形状的至少两张水晶基板结晶轴方向一致地在X轴方向抵接的压力；在被施加了压力的状态下，使至少两张水晶基板培育人造水晶。

公开(公告)号：CN104813447A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380044187.9

申请日：2013-08-23

Applicant: 麦克·晓晅·杨

Inventor： 麦克·晓晅·杨

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/02

CPC classification number: B23K26/364 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/359 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/00 ,  B32B37/28 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/0008 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/46 ,  H01L21/463 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L31/04 ,  Y10T29/41 ,  B23K26/36

Abstract: 本发明涉及一项基底材料分离技术在电子元器件、光电元器件和微机电元器件，尤其是两面元器件加工中的应用。本发明提出的方法适用于多种晶硅太阳能电池制造流程。本发明还涉及通过激光照射在一薄基板侧壁将其分离的装置。此装置可以包含两个面对面放置的基板吸盘，基板从两个基板吸盘之间的空隙通过。本发明进一步指向通过激光照射从一根转动的晶棒的侧壁上分离出一个连续的薄层材料的方法和装置。在晶棒上分离出材料薄层之前可以将一层薄膜沉积在或粘黏在晶棒侧壁。

公开(公告)号：CN104736477A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380053732.0

申请日：2013-08-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/324

Abstract: 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。

公开(公告)号：CN104620351A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047651.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/3226 ,  C30B31/22

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在氧化膜形成工序前，进行对准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。由此，在SOI晶圆的制造中，能够充分消除接合晶圆的缺陷，制造几乎没有缺陷等不良的SOI晶圆，此外，能够将在离子注入剥离法中作为副产物而生成的剥离晶圆多次再用作接合晶圆。

公开(公告)号：CN102439695B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080006938.4

申请日：2010-01-11

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 法布里斯·勒泰特 ,  布鲁斯·富尔 ,  帕斯卡·昆纳德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  C30B29/38 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02664 ,  C30B29/403 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。

公开(公告)号：CN104272432A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN104205364A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017589.X

申请日：2013-03-13

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 布鲁诺·吉瑟兰 ,  尚塔尔·艾尔纳 ,  F·迪姆罗特 ,  A·W·贝特

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  C30B33/06 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L31/0725 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置第一基板；设置具有下表面和上表面的第二基板；在所述第一基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以获得第一晶片结构；在所述第二基板的所述上表面上形成至少一个第二太阳能电池层，以获得第二晶片结构；将所述第一晶片结构结合到所述第二晶片结构，其中，所述至少一个第一太阳能电池层结合到所述第二基板的所述下表面；以及去除所述第一基板。

公开(公告)号：CN104159738A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380011629.X

申请日：2013-03-04

Applicant: 苹果公司

Inventor： C·D·普瑞斯特 ,  D·N·米米林 ,  D·A·帕库拉 ,  R·H·M·迪恩 ,  V·延

IPC: B32B17/10 ,  C04B37/00 ,  C03C27/00 ,  C03C27/04 ,  C03C27/06 ,  C30B29/20 ,  C30B33/06 ,  C03C27/12

CPC classification number: B32B9/002 ,  B32B3/02 ,  B32B7/00 ,  B32B7/02 ,  B32B17/10 ,  B32B17/10045 ,  B32B17/10119 ,  B32B17/10733 ,  B32B18/00 ,  B32B2307/412 ,  C03C27/00 ,  C04B35/115 ,  C04B37/001 ,  C04B37/008 ,  C04B37/047 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/704 ,  C30B29/20 ,  C30B33/06 ,  Y10T428/24488

Abstract: 本文讨论了各种蓝宝石结构和层合体结构。一个实施例可采用如下形式的蓝宝石结构，该蓝宝石结构具有第一蓝宝石片和第二蓝宝石片，所述第一蓝宝石片具有形成主表面的第一蓝宝石平面类型，所述第二蓝宝石片具有形成主表面的第二不同的蓝宝石平面类型。第一蓝宝石片和第二蓝宝石片熔合在一起以形成所述蓝宝石结构。

公开(公告)号：CN102543678B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110433265.7

申请日：2011-12-21

Applicant: 索泰克公司

Inventor： M·布鲁尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/30

CPC classification number: C30B33/06 ,  C30B29/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种为了从基片(1)剥离膜(1’)而使该基片裂开的工艺，该工艺包括下列连续步骤：(i)形成所谓的应力产生结构(2)，该应力产生结构局部结合至所述基片(1)的表面，并且设计成在热处理的作用下在平行于所述基片(1)的表面的平面中膨胀或收缩；和(ii)向所述结构施加热处理，该施加步骤设计成导致所述结构(2)膨胀或收缩从而在所述基片(1)中产生多个局部应力，这些局部应力的结合在平行于所述基片的表面的裂开平面(C)中产生比所述基片的机械强度大的应力以限定待剥离的所述膜(1’)，所述应力导致所述基片(1)在所述平面(C)的范围内的裂开。