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公开(公告)号：CN113540225A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110815592.2
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L29/205 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括P+GaAsSb源区、i‑InGaAs第一抑制层、i‑InGaAs第二抑制层、n+InGaAs第一漏区、n+InGaAs第二漏区、i‑InGaAs隧穿层、栅极介质层和凹型栅极；P+GaAsSb源区远离i‑InGaAs隧穿层的一侧设置有源极，n+InGaAs第一漏区设置有第一漏极，n+InGaAs第二漏区上设置有第二漏极。本发明通过引入凹型栅结构、隧穿层、抑制层、高k栅极介质以及GaAsSb/InGaAs异质结，提高了晶体管开态电流，降低了晶体管亚阈值摆幅与工作电压，可用于超低功耗集成电路器件。
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公开(公告)号：CN109902000B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910101735.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明涉及一种变速多通道调试追踪系统，包括：追踪源模块，用于发送追踪数据；计数器模块，用于发送时间戳信息；缓存模块，用于缓存并输出所述追踪数据和所述时间戳信息。本发明提出的系统，采用同步时钟的先进先出缓存，可同时接收一个或多个数据，输出则仍保持一个数据，具有变速传输的功能；每个数据携带源通道信息，可以将缓存模块中的公共存储器明确标识给相应的数据使用，后续电路可以以此将数据分类进行处理；每次读取操作输出数据的同时输出数据的数目，明确串行输出数据的个数，易于后续电路进行数据处理；输出数据的同时输出反压信号，在多个数据串行输出时，该反压信号用于通知外界不能发起新的读取操作。
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公开(公告)号：CN112397504A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011280765.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种用于40纳米5V‑CMOS电路的ESD防护装置，包括：P型衬底，P型衬底上设置有相邻的N阱和P阱；其中，N阱内从左至右依次设有第一N+注入区、第一浅沟槽隔离区以及第一P+注入区；N阱和P阱之间跨接有第二P+注入区，第一P+注入区和第二P+注入区之间的表面设有第一栅氧化层区；P阱内从左至右依次设有第二N+注入区、第三N+注入区、第二浅沟槽隔离区以及第三P+注入区，第二N+注入区与第三N+注入区之间的表面设有第二栅氧化层区；第二P+注入区与第二N+注入区之间设有第三浅沟槽隔离区。本发明提供的ESD防护装置降低了器件触发电压，提高了维持电压，克服了传统LVTSCR器件结构的闩锁和潜在失效问题，同时优化了器件的过冲电压特性。
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公开(公告)号：CN111710673A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010469914.8
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种具有闩锁免疫特性的EP-LVTSCR器件，包括：P型衬底，所述P型衬底上包括有相邻的N阱和P阱；其中，所述N阱内从左至右依次设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，所述第一P+注入区和所述第二P+注入区之间的表面设有第一栅氧化层区；所述P阱内从左至右依次设有第二N+注入区、第三P+注入区；所述N阱和所述P阱之间跨接有第三N+注入区，所述第三N+注入区表面设有SAB层；所述第三N+注入区与所述第二N+注入区之间的表面设有第二栅氧化层区；所述第二P+注入区与所述第三N+注入区之间设有第一浅沟槽隔离区。本发明提供的EP-LVTSCR器件降低了触发电压，提高了维持电压，克服了传统LVTSCR器件结构的闩锁问题。
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公开(公告)号：CN107345998B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710522182.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δti+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107356864B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710522652.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/308
Abstract: 本发明公开了一种宇航用抗辐照PLL锁相环电路抗辐照性能评估方法，主要解决现有技术在辐照环境下对电路的功能和性能评估不全面的问题，其技术方案为：从工程试验结果及电路内部设计原理出发，根据PLL锁相环电路在地面加速工程辐照试验时所表征出来的功能及性能的变化，结合不同层面用户的需求，提出用PLL单粒子伪失锁截面、PLL单粒子失锁截面、PLL单粒子功能错误截面和PLL单粒子失锁恢复截面四个评估参数所组成的评估列表综合表征宇航用抗辐照PLL电路的抗辐照性能，从而更加系统合理地解决了PLL电路抗辐照性能评估不全面的问题，为宇航用抗辐照PLL锁相环电路的空间工程应用及地面抗辐照加固设计提供参考依据。
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公开(公告)号：CN109037340A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810845184.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/4236 , H01L29/66734
Abstract: 本发明公开一种T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管。其包括：P‑衬底(1)、第一N+型夹层(2)、第一P+型源区(3)、栅氧化层介质(6)、栅区(7)和漏区(8)，第一N+型夹层和第一P+型源区位于P‑衬底左侧，栅氧化层介质位于第一N+型夹层右侧，栅区位于栅氧化层介质上面，漏区位于P‑衬底的底部，P‑衬底右侧设有第二P+型源区(5)和第二N+型夹层(4)，第一N+型夹层(2)和第二N+型夹层(4)采用SiGe材料，第一P+型源区(3)和第二P+型源区(5)采用Ge材料，以在“T”型栅区左、右两侧形成双源和异质结。本发明提高了晶体管开态电流，降低了亚阈值摆幅，可用于低功耗集成电路器件。
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公开(公告)号：CN104409480B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410658088.6
申请日：2014-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(4)与漏极(5)淀积在势垒层上，台面(6)制作在势垒层的侧面，绝缘栅极(8)淀积在绝缘介质层上，钝化层内刻有凹槽(10)，直角源场板(11)淀积在钝化层与保护层之间，直角源场板(11)靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，该直角源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、可靠性高和成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN106601807A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611137031.7
申请日：2016-12-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于倒装芯片的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，其自上而下包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和Si3N4钝化层(7)。其中AlGaN势垒层的下方为栅极(6)，两侧为漏极(4)和源极(5)；漏极的下方为漏极凸点(8)，源极的下方为源极凸点(9)，漏极凸点和源极凸点下方为AlN基板(10)。本发明利用AlN材料的热导率高于蓝宝石材料的特性，将蓝宝石衬底置于顶层，将AlN基板置于底层，提高了器件的热可靠性，可用于制作高频大功率集成电路。
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公开(公告)号：CN104393044B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410660754.X
申请日：2014-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/41
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型直角栅‑漏复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14)。钝化层内刻有栅槽(10)与漏槽(11)；钝化层与保护层之间淀积有直角栅场板(12)和直角漏场板(13)；直角栅场板与绝缘栅极电气连接，且下端完全填充栅槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽，直角栅场板靠近绝缘栅极一侧边缘与栅槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。本发明工艺简单，正、反向特性好，成品率高，可作为开关器件。
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