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公开(公告)号：CN107345998B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710522182.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δti+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。
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公开(公告)号：CN107356864B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710522652.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/308
Abstract: 本发明公开了一种宇航用抗辐照PLL锁相环电路抗辐照性能评估方法，主要解决现有技术在辐照环境下对电路的功能和性能评估不全面的问题，其技术方案为：从工程试验结果及电路内部设计原理出发，根据PLL锁相环电路在地面加速工程辐照试验时所表征出来的功能及性能的变化，结合不同层面用户的需求，提出用PLL单粒子伪失锁截面、PLL单粒子失锁截面、PLL单粒子功能错误截面和PLL单粒子失锁恢复截面四个评估参数所组成的评估列表综合表征宇航用抗辐照PLL电路的抗辐照性能，从而更加系统合理地解决了PLL电路抗辐照性能评估不全面的问题，为宇航用抗辐照PLL锁相环电路的空间工程应用及地面抗辐照加固设计提供参考依据。
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公开(公告)号：CN107194090B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710388322.1
申请日：2017-05-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法，其技术方案是：根据电路的系统功能编制地面全功能试验程序，按照占空因子相等，辐射效应类型相同和物理版图可划分的原则，将电路划分成多个模块，并求出各模块的在地面加速试验条件下的占空因子；根据整个电路的单粒子错误率截面与各模块的单粒子本征错误截面、占空因子的相关性，建立单粒子错误率截面预估模型；通过该模型能对抗辐照复杂集成电路的空间应用程序下抗辐照性能做出预估；根据各模块的最大占空因子对地面最劣的单粒子错误率截面进行预估，实现对抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面的预估计，为抗辐照复杂集成电路的空间工程应用选型提供参考依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107345998A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710522182.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δti+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。
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公开(公告)号：CN107341127B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710543986.0
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于OpenCL标准的卷积神经网络加速方法，主要解决现有CPU处理卷积神经网络效率低的问题。其实现步骤为：1.读入原始的三维图像数据，将其传递到GPU的全局内存中；2.读取权重和偏置数据到GPU的全局内存中；3.将GPU的全局内存原始图像数据读取到GPU的局部内存中；4.初始化参数，构造线性激活函数Leaky‑ReLU；5.计算卷积神经网络第十二层的图片数据；6.计算卷积神经网络第十五层的图片数据；7.计算卷积神经网络第十八层的图片数据，并将该将图片数据存入GPU，再传回到主机内存中，给出运算时间。本发明提高了卷积神经网络运算速度，可用于计算机视觉的物体检测。
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公开(公告)号：CN107341127A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710543986.0
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于OpenCL标准的卷积神经网络加速方法，主要解决现有CPU处理卷积神经网络效率低的问题。其实现步骤为：1.读入原始的三维图像数据，将其传递到GPU的全局内存中；2.读取权重和偏置数据到GPU的全局内存中；3.将GPU的全局内存原始图像数据读取到GPU的局部内存中；4.初始化参数，构造线性激活函数Leaky-ReLU；5.计算卷积神经网络第十二层的图片数据；6.计算卷积神经网络第十五层的图片数据；7.计算卷积神经网络第十八层的图片数据，并将该将图片数据存入GPU，再传回到主机内存中，给出运算时间。本发明提高了卷积神经网络运算速度，可用于计算机视觉的物体检测。
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公开(公告)号：CN107356864A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710522652.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/308
CPC classification number: G01R31/308
Abstract: 本发明公开了一种宇航用抗辐照PLL锁相环电路抗辐照性能评估方法，主要解决现有技术在辐照环境下对电路的功能和性能评估不全面的问题，其技术方案为：从工程试验结果及电路内部设计原理出发，根据PLL锁相环电路在地面加速工程辐照试验时所表征出来的功能及性能的变化，结合不同层面用户的需求，提出用PLL单粒子伪失锁截面、PLL单粒子失锁截面、PLL单粒子功能错误截面和PLL单粒子失锁恢复截面四个评估参数所组成的评估列表综合表征宇航用抗辐照PLL电路的抗辐照性能，从而更加系统合理地解决了PLL电路抗辐照性能评估不全面的问题，为宇航用抗辐照PLL锁相环电路的空间工程应用及地面抗辐照加固设计提供参考依据。
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公开(公告)号：CN107194090A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710388322.1
申请日：2017-05-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法，其技术方案是：根据电路的系统功能编制地面全功能试验程序，按照占空因子相等，辐射效应类型相同和物理版图可划分的原则，将电路划分成多个模块，并求出各模块的在地面加速试验条件下的占空因子；根据整个电路的单粒子错误率截面与各模块的单粒子本征错误截面、占空因子的相关性，建立单粒子错误率截面预估模型；通过该模型能对抗辐照复杂集成电路的空间应用程序下抗辐照性能做出预估；根据各模块的最大占空因子对地面最劣的单粒子错误率截面进行预估，实现对抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面的预估计，为抗辐照复杂集成电路的空间工程应用选型提供参考依据。
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