公开(公告)号：CN119519612A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411577109.1

申请日：2024-11-06

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 沈季乾 ,  刘志宏 ,  郑雪峰 ,  汪童乐 ,  马铭阳 ,  周瑾 ,  杜航海 ,  邢伟川 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/42 ,  H03F3/20

Abstract: 本发明公开了一种基于开关结构的宽带大回退射频Doherty功率放大器，包括功率分配单元、频段选择单元、信号相移单元、信号放大单元、信号合成单元：所述频段选择单元包含射频开关，所述信号放大单元包括主功率放大器、若干辅助功率放大器，所述信号合成单元包括阻抗逆置器、阻抗变换器。本发明通过在辅助功率放大器支路加入射频开关结构，使辅助功率放大器能够在两个相邻窄频段内完成对主功率放大器的有源负载调制，并且应用辅助功率放大器支路与主功率放大器非对称架构，从而拓宽了Doherty功率放大器整体的带宽，同时提高了回退量。

公开(公告)号：CN119562592A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411618211.1

申请日：2024-11-13

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  沈季乾 ,  郑雪峰 ,  丛晓波 ,  马铭阳 ,  周瑾 ,  杜航海 ,  邢伟川 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D84/85

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，特别地，涉及一种金刚石与氮化镓异质集成的互补场效应晶体管器件。所述器件包括n型GaN基晶体管单元(001)、p型金刚石基晶体管单元(002)、电极连接单元(003)和金刚石衬底(1)，n型GaN基晶体管单元(001)、p型金刚石基晶体管单元(002)均设于所述金刚石衬底(1)上，所述第一电极连接金属(15a)分别与所述n型GaN晶体管栅电极(8)和所述p型金刚石晶体管栅电极(13)连接，所述第二电极连接金属(15b)分别与所述n型GaN晶体管漏电极(9)和所述p型金刚石晶体管源电极(12)连接。本申请可以具有较宽的禁带宽度，带间隧穿几率低的特点，所形成的互补场效应晶体管器件具有开关速度快、功耗低的特点。

公开(公告)号：CN118645525A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410681184.6

申请日：2024-05-29

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李晓燕 ,  刘志宏 ,  郑雪峰 ,  樊雨佳 ,  毛佩玉 ,  罗诗文 ,  杜航海 ,  邢伟川

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/07 ,  H01L29/872 ,  H01L21/335

Abstract: 一种增强型氮化镓HEMT器件及制备方法，器件自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层一端上表面设置有漏电极，另一端设置有两个相邻凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，远离漏电极的凹槽内设置有第一源电极，靠近漏电极的槽内设置有第二源电极及材料层，材料层设置在靠近第一源电极的一侧，势垒层在漏电极与第二源电极之间的上表面设置有栅电极；制备方法包括：先清洗衬底并在衬底上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层，再次清洗后进行台面隔离，并在势垒层上刻蚀两个凹槽至沟道层，然后淀积材料层，并生长第一源电极、第二源电极、漏电极及栅电极，最后淀积钝化层；本发明具有栅驱动能力强、刻蚀损伤低和成本低的特点。

公开(公告)号：CN118969859A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411043247.1

申请日：2024-07-31

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李晓燕 ,  刘志宏 ,  郑雪峰 ,  罗诗文 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/93 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法，自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，在势垒层和沟道层上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，凹槽内设置有阴电极，其余凹槽内设置阳电极，设置阳电极的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区；制备方法为：先清洗衬底层并在衬底层上依次生长复合缓冲层、复合沟道层和势垒层，再在部分势垒至部分沟道层形成多个P型区，然后再利用刻蚀技术刻蚀势垒层至沟道层中上部形成多个凹槽，在凹槽中分别生长阴电极和阳电极，最后淀积钝化层；本发明在横向氮化镓基异质结结构上实现了多个变容二极管并联，具有变容范围大、并且与氮化镓基射频器件工艺兼容的特点。

公开(公告)号：CN119008697A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411051789.3

申请日：2024-08-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 曹艳荣 ,  陈川 ,  张新祥 ,  吴林珊 ,  苏硕 ,  张微微 ,  吕玲 ,  习鹤 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子效应FinFET器件及其制备方法，该器件包括衬底、Fin鳍结构、浅槽隔离区域、源极电极、漏极电极、栅氧化层、多晶硅栅极电极、第一掺杂类型阱结、第二掺杂类型阱结；Fin鳍结构位于衬底上，浅槽隔离区域围绕Fin鳍结构设置；源极电极和漏极电极位于Fin鳍结构的两端；栅氧化层位于Fin鳍结构中间，并覆盖Fin鳍结构的顶部和两侧；多晶硅栅极电极由栅氧化层的顶部向前后两侧包裹栅氧化层；第一掺杂类型阱结和第二掺杂类型阱结对称设置在衬底两侧。该结构设计避免了引入埋氧化层，在增强器件抗单粒子能力的同时解决了散热问题；且工艺流程简单成熟，制造成本较低。

公开(公告)号：CN112466770B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202011314832.2

申请日：2020-11-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  马晓华 ,  龚星星 ,  张豪 ,  王冲 ,  曹艳荣 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法，主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格一致的欧姆接触电极，然后对被测异质结器件施加热电子应力，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以其导通电流，即得到异质结器件沟道区不同位置处的沟道电阻，进而得到沟道区不同位置处的热电子数量。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续提高器件可靠性提供重要依据。

公开(公告)号：CN117347808A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311091664.9

申请日：2023-08-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王颖哲 ,  郑雪峰 ,  王鑫炀 ,  潘嫒灵 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓肖特基势垒二极管电应力后陷阱演化的测试方法，包括：对当前的氧化镓肖特基势垒二极管样品进行深能级瞬态谱测试得到深能级瞬态谱测试结果；对当前样品进行变温低频噪声测试得到变温低频噪声测试结果；比较两种测试结果判断样品中的多数和少数载流子陷阱得到陷阱信息；判断当前的器件是否失效，若否对当前样品施加一定时间的电应力再次进行两种测试和比较，且各次施加的电应力时间逐次增加；若是基于所有陷阱信息得到样品施加电应力后陷阱的演化过程。本发明能同时表征并区分氧化镓肖特基二极管的多数和少数载流子陷阱，并可定量给出各陷阱对应的浓度和能级，可对氧化镓肖特基势垒二极管器件中的陷阱进行更全面的分析。

公开(公告)号：CN116314268A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310280147.X

申请日：2023-03-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 曹艳荣 ,  吕航航 ,  马毛旦 ,  王志恒 ,  张新祥 ,  陈川 ,  吴琳姗 ,  许晟瑞 ,  吕玲 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种抑制自热效应的氮化镓器件，包括：金刚石衬底、石墨烯层、氮化镓缓冲层、P型氮化镓层、铝镓氮势垒层、钝化层、金刚石散热层、漏极、栅极和源极；金刚石衬底、石墨烯层和氮化镓缓冲层由下至上依次设置；漏极和源极分别位于氮化镓缓冲层上；铝镓氮势垒层位于漏极和源极之间；钝化层位于铝镓氮势垒层的表面；栅极下端穿过钝化层与铝镓氮势垒层接触；P型氮化镓层位于氮化镓缓冲层内部；金刚石散热层位于钝化层的表面。本发明还提供一种抑制自热效应的氮化镓器件的制备方法，本发明从提高器件散热能力和调制栅漏电场两个维度来抑制器件的自热效应，因此可较大程度的降低器件温度、抑制自热效应、改善器件因升温而造成的性能退化。

公开(公告)号：CN113594234B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202110870270.8

申请日：2021-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  洪悦华 ,  何云龙 ,  张方 ,  张翔宇 ,  陆小力 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管的制备方法，主要解决现有方法制作的氧化镓肖特基二极管的开启电压高的问题，其实现方案为：对氧化镓衬底进行清洗；对清洗后的氧化镓衬底表面进行表面修复的预处理，采用氢化物气相外延技术HVPE在预处理后的氧化镓衬底正面进行生长氧化镓外延层；采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属，并对其进行欧姆退火；对氧化镓外延层进行笑气电感耦合等离子体处理，并采用光刻形成阳极图案；根据阳极图案采用电子束蒸发沉积肖特基阳极金属，完成器件制作。本发明降低了肖特基二极管的开启电压；提高了漂移层的电子迁移率，从而减小了导通电阻，可用于大功率、高电压、高频整流。

公开(公告)号：CN115911134A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211249920.8

申请日：2022-10-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陆小力 ,  何云龙 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃 ,  李园

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/28 ,  H01L29/34 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种氧化镓场终端功率二极管及其制备方法，该氧化镓场终端功率二极管，包括：阴极、衬底层、漂移层和阳极，其中，衬底层、漂移层和阳极自下而上依次层叠设置；衬底层的下表面上刻蚀形成若干间隔的凹槽结构；阴极设置在衬底层的下表面以及凹槽结构内。本发明的氧化镓场终端功率二极管，通过衬底层减薄与图形化阴极相结合，有效降低了阴极接触电阻，进而降低器件的导通电阻，而且衬底层的刻蚀避免了对漂移层的损伤，其次，漂移层的厚度并未减薄，避免了器件击穿电压降低的问题，使得氧化镓场终端功率二极管在降低导通电阻的同时保持较高击穿电压。