半导体器件
    81.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108931859A

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201810124748.0

    申请日:2018-02-07

    CPC classification number: G02F1/2257 G02F2001/212 G02F2201/063 G02F1/025

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器,该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接,沿第1方向(Y)对光进行引导,其中,相位调制部具有:半导体层(SL),其由单晶硅构成,第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大;芯部(CR),其是形成于半导体层的光波导区域,沿第1方向延伸;一对板部(SB),其在第2方向上配置于芯部的两侧;第1电极(Mp),其与一个板部连接;和第2电极(Mn),其与另一个板部连接。并且,芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域,第2方向与半导体层的晶体取向 一致。

    半导体器件及其制造方法
    82.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104111132B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201410155975.1

    申请日:2014-04-17

    Abstract: 本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型,并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域,并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中,并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。

    半导体装置
    83.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107731815A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201710365767.8

    申请日:2017-05-23

    Abstract: 本发明涉及半导体装置,使半导体装置所具备的电感器的特性提高。具备由半导体基板(SB)、半导体基板(SB)上的BOX层(BX)以及BOX层(BX)上的半导体层(SL)构成的SOI基板、形成于SOI基板的主面的上方的多层布线以及由多层布线构成的电感器(IN)。并且,在位于电感器(IN)的下方的区域中,BOX层(BX)以及半导体层(SL)通过元件分离部(STI)隔成多个区域,在多个区域各自的半导体层(SL)上,隔着虚设栅极绝缘膜(DI)设置有虚设栅极电极(DG)。

    半导体器件
    84.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103681601B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201310410095.X

    申请日:2013-09-06

    Abstract: 为了抑制电感器引起的噪声向外界泄漏并且也被配置为使得磁场强度改变到达电感器。电感器在平面图中包围内部电路并且也电耦合到内部电路。上屏蔽部分覆盖电感器的上侧,并且下屏蔽部分覆盖电感器的下侧。通过使用多层布线层来形成上屏蔽部分。上屏蔽部分具有多个第一开口。第一开口在平面图中与电感器重叠。

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