公开(公告)号：CN1992175A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172809.8

申请日：2006-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/1214 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是通过使形成集成电路的图案实现微小化，来提供可以缩小芯片面积的半导体装置的制造方法。例如，本发明的目的是缩小由薄膜晶体管形成的用于IC卡或IC标签的IC芯片。本发明的制造方法包括以下步骤：形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘层；以及在所述绝缘层中形成开口部分。通过使用相移掩模或者全息掩模的曝光工艺，以进行形成栅电极的步骤和在绝缘层中形成开口部分的步骤的一方或双方。因此，即使是玻璃衬底那样平坦度欠佳的衬底，也可以形成微小的图案。

公开(公告)号：CN1956150A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610144562.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN1905165A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107657.3

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259

Abstract: 本发明的目的在于提供一种技术，以高成品率制造高可靠性的半导体器件和显示器件。本发明使用设置有衍射光栅图形或辅助图形的曝光掩模作为曝光掩模，所述辅助图形由半透膜构成并且具有光强度降低功能。当使用这种曝光掩模时，可以进一步正确地进行多种多样的曝光的控制，从而可以将抗蚀剂加工成进一步精密的形状。由此，在使用这种掩模层的情况下，可以通过相同的步骤以适合于所要求的性能的不同形状对导电膜或绝缘膜进行形状上的加工。因此，能够制造具有不同特性的薄膜晶体管和不同尺寸或形状的布线，而不增加步骤。

公开(公告)号：CN1873933A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610092457.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。

公开(公告)号：CN1638042A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104859.3

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制作方法，该方法使用促进晶化的元素进行晶化，之后通过吸杂以减少晶质半导体膜中的该元素的浓度，从而抑制在该晶质半导体膜中产生小孔。为了实现上述目的，本发明的结构之一的特征是在去除形成在半导体膜上的氧化硅膜时，使用由包含氟和显示界面活性的物质的液体构成的蚀刻剂。

公开(公告)号：CN1173388C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN98108911.9

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  张宏勇 ,  菅原彰 ,  铃木敦则 ,  上原由起子 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1395319A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN1389905A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121623.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78636 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜,有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜,典型地,非晶硅膜,用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体,膜包含高浓度,或,具体地,1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素,和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN1254940A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99121306.8

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后,经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲,在退火结晶工艺中,将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶,形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后,在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照,完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化,在硅膜上形成氧化膜,然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1136707A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN94116165.X

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照。完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。