公开(公告)号：CN101996989B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201010246771.0

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。

公开(公告)号：CN101997003B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010246753.2

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。

公开(公告)号：CN102549758A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043173.1

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 目的是提供具有良好电特性和高度可靠性的薄膜晶体管以及含有该薄膜晶体管作为开关元件的半导体器件。形成具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜，培育状态表现出的电子衍射图案既不同于出现晕环形状图案的传统已知的非晶状态也不同于清楚地出现点的传统已知的晶体状态。使用具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜用于沟道蚀刻的薄膜晶体管的沟道形成区。

公开(公告)号：CN102498570A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040387.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN102484139A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039662.X

申请日：2010-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宫永昭治 ,  高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有适合用于半导体装置的新的结构的氧化物半导体层。此外，本发明的目的之一是提供一种使用具有新的结构的氧化物半导体层的半导体装置。本发明是一种氧化物半导体层，包括：以非晶为主要结构的非晶区域以及表面的附近的包含In2Ga2ZnO7的晶粒的结晶区域，其中，晶粒被取向为其c轴成为大体上垂直于表面的方向。此外，本发明是一种使用这种氧化物半导体层的半导体装置。

公开(公告)号：CN101615628A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910160481.1

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种显示器件。一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN100576527C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610082690.5

申请日：2006-05-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/2007 ,  G09G3/36 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0235 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78675 ,  H01L2227/323 ,  H01L2924/13069

Abstract: 提供在相邻像素之间的绝缘膜被称为堤坝、隔板、势垒、堤防等，并被提供在薄膜晶体管的源布线或漏布线或电源线上方。确切地说，在提供于不同层中的这些布线的交叉部分处，形成了比其它部分更大的台阶。即使在用涂敷方法形成相邻像素之间的绝缘膜的情况下，也由于这种台阶而存在着局部形成薄的部分从而降低承受压力的问题。在本发明中，模拟材料被安置在大台阶部分附近，确切地说是各布线的交叉部分周围，以便减小其上形成的不平坦性。上部布线和下部布线以不对准的方式被安置，以便不对准端部。

公开(公告)号：CN100531495C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510087905.8

申请日：2005-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  仓田求 ,  畑宏幸 ,  一条充弘 ,  大槻高志 ,  安西彩 ,  坂仓真之

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H04N5/655 ,  G06F3/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/60 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H04N5/642

Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的发光元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。

公开(公告)号：CN100459217C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN02158444.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。根据本发明的发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：栅电极上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上形成的阳极层，第二有机绝缘层和阳极层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在阳极层上有开口的第四无机绝缘层，与阳极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阴极层，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

公开(公告)号：CN100405577C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410078765.3

申请日：2004-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰 ,  斋藤惠子 ,  池田寿雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/15 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5262 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中，分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料，这样可以提高密接性，同时，可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外，密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜，以形成不在界面产生光反射的结构。