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公开(公告)号：CN102549758A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043173.1
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 目的是提供具有良好电特性和高度可靠性的薄膜晶体管以及含有该薄膜晶体管作为开关元件的半导体器件。形成具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜，培育状态表现出的电子衍射图案既不同于出现晕环形状图案的传统已知的非晶状态也不同于清楚地出现点的传统已知的晶体状态。使用具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜用于沟道蚀刻的薄膜晶体管的沟道形成区。
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公开(公告)号：CN102498570A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040387.3
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/52 , H01L2227/323
Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。
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公开(公告)号：CN102484139A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039662.X
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有适合用于半导体装置的新的结构的氧化物半导体层。此外，本发明的目的之一是提供一种使用具有新的结构的氧化物半导体层的半导体装置。本发明是一种氧化物半导体层，包括：以非晶为主要结构的非晶区域以及表面的附近的包含In2Ga2ZnO7的晶粒的结晶区域，其中，晶粒被取向为其c轴成为大体上垂直于表面的方向。此外，本发明是一种使用这种氧化物半导体层的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101615628A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910160481.1
申请日：2005-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244
Abstract: 本发明涉及一种显示器件。一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。
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公开(公告)号：CN100576527C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610082690.5
申请日：2006-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/522 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1244 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , G09G3/2007 , G09G3/36 , G09G2300/0426 , G09G2310/0235 , H01L27/0255 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1274 , H01L27/3223 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78663 , H01L29/78675 , H01L2227/323 , H01L2924/13069
Abstract: 提供在相邻像素之间的绝缘膜被称为堤坝、隔板、势垒、堤防等，并被提供在薄膜晶体管的源布线或漏布线或电源线上方。确切地说，在提供于不同层中的这些布线的交叉部分处，形成了比其它部分更大的台阶。即使在用涂敷方法形成相邻像素之间的绝缘膜的情况下，也由于这种台阶而存在着局部形成薄的部分从而降低承受压力的问题。在本发明中，模拟材料被安置在大台阶部分附近，确切地说是各布线的交叉部分周围，以便减小其上形成的不平坦性。上部布线和下部布线以不对准的方式被安置，以便不对准端部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100531495C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510087905.8
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04N5/655 , G06F3/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L33/60 , H01L51/0005 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2224/4847 , H01L2227/323 , H01L2251/5323 , H04N5/642
Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的发光元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。
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公开(公告)号：CN100459217C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN02158444.3
申请日：2002-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L29/16 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/5008 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/566
Abstract: 本发明的目的是提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。根据本发明的发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：栅电极上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上形成的阳极层，第二有机绝缘层和阳极层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在阳极层上有开口的第四无机绝缘层，与阳极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阴极层，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。
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公开(公告)号：CN100405577C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410078765.3
申请日：2004-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/5203 , H01L51/5262 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中，分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料，这样可以提高密接性，同时，可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外，密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜，以形成不在界面产生光反射的结构。
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公开(公告)号：CN101174642A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710168213.5
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L31/02005 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/1055 , H01L31/1892 , H01M10/46 , H03F3/08 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：在第一绝缘膜上且具有光电二极管、放大所述光电二极管的输出电流的放大器电路的第一元件；以及在第二绝缘膜上且具有颜色滤光片、所述颜色滤光片上的外敷层的第二元件，其中，通过利用粘结材料粘结所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，来将所述第一元件和所述第二元件贴附在一起。此外，所述放大器电路是具有薄膜晶体管的电流镜电路。此外，也可以使用颜色薄膜而代替颜色滤光片。
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公开(公告)号：CN100380673C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02157581.9
申请日：2002-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L51/5234 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。
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