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公开(公告)号：CN107660307B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680028403.4
申请日：2016-06-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或多个侧壁，该一或多个侧壁可包含氧化硅或氮化硅材料。沉积表面可本质上由硅构成，且选择性沉积的氧化硅层可通过使四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧在该图案化特征上流动而形成，其中该氧化硅层选择性地沉积在基板的沉积表面上。
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公开(公告)号：CN107534013B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201680023828.6
申请日：2016-03-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/46 , C23C16/34 , C23C16/16 , C23C16/04
Abstract: 本公开内容的实现方式总体涉及用于在高深宽比特征限定中形成薄膜的方法。在一个实现方式中，提供一种在工艺腔室中处理基板的方法。所述方法包括：使包含配位体的含硼前驱物流入工艺腔室的内部处理容积中；使包含配位体的含氮前驱物流入内部处理容积中；以及使含硼前驱物和含氮前驱物在内部处理容积中热分解，以便将氮化硼层沉积于形成在基板上的电介质层的表面中及其下方的高深宽比特征限定的至少一个或多个侧壁和底表面上方。
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公开(公告)号：CN107112278B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201580068587.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/30 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: 在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。
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公开(公告)号：CN112740360A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061362.2
申请日：2019-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·E·戈特海姆 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/455 , G03F7/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中，提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中，所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板，其中将基板保持在约‑10℃至约20℃的温度和约0.5毫托至约10托的腔室压力；以及通过将第一RF偏压施加至静电吸盘来生成等离子体，以在基板上沉积含有约60％或更多的杂化sp3原子的类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以约1800瓦至约2200瓦的功率和约40MHz至约162MHz的频率提供。
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公开(公告)号：CN112041481A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201880092808.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/26 , H01L21/033 , H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例涉及用于使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将非晶碳层沉积到基板上、包括沉积在所述基板上的先前形成的层上方的方法，具体而言，本文中描述的方法利用RF AC功率和脉冲DC功率的组合来产生等离子体，所述等离子体以sp3(类金刚石)碳与sp2(类石墨)碳的高比率来沉积非晶碳层。所述方法还提供了较低处理压力、较低处理温度和较高处理功率，以上各项中的每一者单独地或组合地可进一步增大在所沉积的非晶碳层中sp3碳的相对分数。由于较高的sp3碳分数，与通过常规方法沉积的非晶碳层相比，本文中描述的方法提供了具有改进的密度、刚度、蚀刻选择性和膜应力的非晶碳层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105659366B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201480057976.0
申请日：2014-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
Abstract: 本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(TRIS)、二氯硅烷(DCS)、三硅烷胺(TSA)、双叔丁基胺基硅烷(BTBAS)、六氯二硅烷(HCDS)或六甲基环三硅氮烷(HMCTZ)。
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公开(公告)号：CN111492467A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081231.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 兹描述选择性地沉积钌的方法。优选的沉积表面根据处理期间的基板温度而改变。在高温下，钌沉积在导电材料的第一表面上更甚于绝缘材料的第二表面。在低温下，钌沉积在绝缘表面上更甚于导电表面。
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公开(公告)号：CN107210196B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680009234.X
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。
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公开(公告)号：CN106688078B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580034916.1
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
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