公开(公告)号：CN110176443A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201810937686.5

申请日：2018-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  陈彦羽

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体器件包括位于衬底上方的有源区域；设置在有源区域上方的第一含钴部件；设置在第一含钴部件上方并且与第一含钴部件物理接触的导电帽；以及设置在导电帽上方并且与导电帽物理接触的第二含钴部件。本发明的实施例还涉及用于减小接触电阻的双金属通孔。

公开(公告)号：CN109767998A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201711096103.2

申请日：2017-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄煜伦 ,  陈彦羽 ,  吴清嘉 ,  廖维贞 ,  林群智

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开提供处理腔室、半导体制造设备以及其校正方法。该半导体制造设备，包含一处理腔室、一影像撷取装置以及一控制装置。处理腔室包含有一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体元件。校正器是连接于承载台，其中校正器具有多个指标。影像撷取装置是用以撷取关于半导体元件以及校正器的一影像，以产生一影像信号。控制装置是用以根据些指标以及影像信号，决定半导体元件的中心是否对位于承载台的中心，并且当半导体元件的中心偏离承载台的中心时，控制装置决定半导体元件与承载台之间的一偏移位移。

公开(公告)号：CN109755119A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810457817.X

申请日：2018-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  陈彦羽

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供了具有栅极结构的集成电路和形成该集成电路的方法的实例。在一些实例中，接收工件，该工件包括具有沟道区域的衬底。在沟道区域上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成含有掺杂剂的层。将工件退火，以将掺杂剂转移到栅极电介质，以及在退火后去除层。在一些这样的实例中，在去除层之后，在栅极电介质上形成功函数层，以及在功函数层上形成填充材料以形成栅极结构。本发明还提供了形成集成电路的各种方法。

公开(公告)号：CN107919328A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710680527.7

申请日：2017-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  廖汉文 ,  颜桓佑 ,  陈彦羽 ,  林群智

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 在衬底上方形成多晶硅层。蚀刻多晶硅层以形成包括具有第一横向尺寸的顶部部分和具有第二横向尺寸的底部部分的伪栅电极，第一横向尺寸大于或等于第二横向尺寸。用金属栅电极替换栅电极。本发明实施例涉及通过形成顶部宽且底部窄的伪栅电极来减少金属栅极悬置。

公开(公告)号：CN104730866A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410075233.8

申请日：2014-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾国书 ,  陈有峰 ,  陈彦羽

IPC: G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 本发明提供了包括光刻胶喷嘴器件的光刻胶供应系统的实施例。该光刻胶喷嘴器件包括管，该管包括第一部分、连接至第一部分的曲线部分和连接至曲线部分的第二部分。光刻胶喷嘴器件还包括连接至第二部分的喷嘴。本发明还提供了光刻胶喷嘴器件及光刻胶供应系统。

公开(公告)号：CN222394768U

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202421075657.X

申请日：2024-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家玮 ,  詹朝壹 ,  陈佑宣 ,  郭政佑 ,  陈彦羽

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种电浆蚀刻系统及用于电浆蚀刻系统的边缘组件。边缘组件包含：聚焦环，环绕安装于电浆蚀刻系统内的安装平台的边缘部分。聚焦环包含：下台阶部分，邻近安装平台的边缘部分，从聚焦环的底部表面垂直延伸至下台阶顶部表面；上台阶部分，远离安装平台的边缘部分，从聚焦环的底部表面垂直延伸至上台阶顶部表面，并从上台阶内侧径向延伸至上台阶外侧。聚焦环的特征在于，空隙位于上台阶部分中，并沿聚焦环的周边外围地延伸。