公开(公告)号：CN114783952A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210451008.4

申请日：2017-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  廖汉文 ,  颜桓佑 ,  陈彦羽 ,  林群智

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层；在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极。

公开(公告)号：CN107919328A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710680527.7

申请日：2017-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  廖汉文 ,  颜桓佑 ,  陈彦羽 ,  林群智

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 在衬底上方形成多晶硅层。蚀刻多晶硅层以形成包括具有第一横向尺寸的顶部部分和具有第二横向尺寸的底部部分的伪栅电极，第一横向尺寸大于或等于第二横向尺寸。用金属栅电极替换栅电极。本发明实施例涉及通过形成顶部宽且底部窄的伪栅电极来减少金属栅极悬置。