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公开(公告)号：CN108231517A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710137506.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 廖汉文
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , H01L21/28556 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01J37/32431 , H01J37/3266
Abstract: 一种用以执行等离子相关制造制程的系统，包含处理腔室及位于处理腔室内的晶圆台。晶圆台用以固定处理晶圆。系统还包含位于晶圆台下面的底部电极、位于腔室外部的顶部电极及等离子分布机构。等离子分布机构可重新配置以允许多于一个等离子分布轮廓。
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公开(公告)号：CN104730858A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410100608.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/306
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/02019 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/3213 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/6831 , H01L22/20
Abstract: 一种对晶圆进行图案化的方法包括：对晶圆执行第一图案化；以及在执行第一图案化之后，计算模拟剂量分布（DoMa）图，其预测晶圆的临界尺寸由于对晶圆执行第二图案化而产生的变化。该方法还包括对晶圆执行第二图案化。执行第二图案化包括根据模拟DoMa图与晶圆的期望临界尺寸之间的差值调整第二图案化的一个或多个蚀刻参数。本发明公开了采用反馈控制改善晶圆图案化的均匀性。
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公开(公告)号：CN116936415A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310984468.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 一种湿蚀刻设备，包含一晶圆座、喷洒头、液体蚀刻剂容器、第一气体喷射器以及第一气体抽取器。喷洒头具有多个分配孔于晶圆座上方。液体蚀刻剂容器流体连通喷洒头的所述多个分配孔。第一气体喷射器设置于该晶圆座的一第一侧。第一气体抽取器设置于该晶圆座相对于该第一侧的一第二侧，其中该第一气体喷射器以及该第一气体抽取器產生一气流。
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公开(公告)号：CN111223797A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911198828.1
申请日：2019-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 一种湿蚀刻设备及其使用的方法。方法包含：将液体蚀刻剂分配到晶圆上，其中晶圆在分配液体蚀刻剂期间不旋转；使用气流吹动该晶圆上的液体蚀刻剂，其中在分配液体蚀刻剂期间气流的一方向保持实质恒定；在晶圆上的目标结构被液体蚀刻剂蚀刻掉之后，关闭气流。
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公开(公告)号：CN114783952A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210451008.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层；在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223772A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911112568.1
申请日：2019-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 一种湿蚀刻设备及其使用的方法，方法包含分配一化学溶液至一半导体基板上，以化学性地蚀刻半导体基板上的一目标结构，其中该化学溶液包含带电离子于其中；以及在分配该化学溶液至该半导体基板上时，施加一电场于该半导体基板上，以使该化学溶液中的该些带电离子随该电场移动。
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公开(公告)号：CN111211032A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911142918.9
申请日：2019-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 廖汉文
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种半导体结构的制造方法及电浆处理设备。半导体结构的制造方法包括在制程腔室中放置晶圆。在制程腔室中形成电浆以处理晶圆。侦测晶圆周边区域上方的电浆浓度。根据侦测到的电浆浓度调整晶圆周边区域上的电浆分布。
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公开(公告)号：CN108987267A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711194111.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本揭露提供了用于增强形成在基板上的结构的表面形貌的方法。在一实施例中，此在基板上制造结构的方法包括：在具有浅沟槽隔离结构和扩散区的基板上执行研磨制程，执行表面形貌增强制程以扩大存于浅沟槽隔离结构和扩散区中至少一者的缺陷，检测浅沟槽隔离结构和扩散区的至少一个以侦测扩大的缺陷，以及对于侦测到扩大的缺陷做出反应来调整抛光制程的参数。
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公开(公告)号：CN111211056B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911113157.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 廖汉文
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括在基板上方形成半导体鳍片。鳍片间隔物形成于半导体鳍片侧壁上。在鳍片间隔物上实施电子束处理。磊晶结构形成于半导体鳍片上方。磊晶结构接触经电子束处理的鳍片间隔物。
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公开(公告)号：CN111211032B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201911142918.9
申请日：2019-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 廖汉文
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种半导体结构的制造方法及电浆处理设备。半导体结构的制造方法包括在制程腔室中放置晶圆。在制程腔室中形成电浆以处理晶圆。侦测晶圆周边区域上方的电浆浓度。根据侦测到的电浆浓度调整晶圆周边区域上的电浆分布。
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