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公开(公告)号：CN110729322B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911006145.1
申请日：2019-10-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构，在LED外延结构上形成有至少贯穿发光层和第二型半导体层的沟槽，所述沟槽将LED外延结构分割成多个子台面，对于正装制备结构而言，分离台面的沟槽可以直接增加LED芯片的侧壁出光比例，对于倒装制备结构而言，由于沟槽的侧壁能够对发光层发出的光进行反射，改变发光层发出光的路径，避免由于LED外延半导体材料与空气存在较大的折射率差，使得一定比例的光在半导体材料中形成类似在波导中传播一样的多次全反射，最终被吸收消耗，造成垂直型LED芯片结构的发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN113809219A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111148515.2
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有光转换功能的发光结构LED芯片及制备方法，通过将光转换材料植入外延叠层内部，实现了初步的光转换发光结构。在此基础上制作的LED芯片，在后续封装过程中，可以免除光转换材料覆盖的过程，有利于减少工序。同时，本技术方案避免了光转换材料容易受温度、湿度、环境杂质等影响而出现性能退化，进而影响光转换效率和出光效率的风险；同时，降低了整体灯珠的热阻，从而提高LED芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN113363358A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110601827.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。以及通过设置电流阻挡层能够实现LED芯片更好的电流阻挡效果，进而保证LED芯片的性能优良。
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公开(公告)号：CN113328019A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110563851.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬底的图形在外延生长前不被破坏。进一步地，所述凸台的垂直高度大于所述凸台的底面宽度，使所述外延生长衬底形成大高宽比的图形，实现大出光角度；并通过小底宽设计实现高密度的图形进而提高发光效率。同时，通过设置保护层，有利于实现图形化衬底的可靠性及稳定性，减少大高宽比的图形在外延生长前被外力破坏。
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公开(公告)号：CN112349819A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011214208.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783436B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911085646.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN110729322A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911006145.1
申请日：2019-10-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构，在LED外延结构上形成有至少贯穿发光层和第二半导体层的沟槽，所述沟槽将LED外延结构分割成多个子台面，对于正装制备结构而言，分离台面的沟槽可以直接增加LED芯片的侧壁出光比例，对于倒装制备结构而言，由于沟槽的侧壁能够对发光层发出的光进行反射，改变发光层发出光的路径，避免由于LED外延半导体材料与空气存在较大的折射率差，使得一定比例的光在半导体材料中形成类似在波导中传播一样的多次全反射，最终被吸收消耗，造成垂直型LED芯片结构的发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN107564929B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710865321.1
申请日：2017-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L27/15
Abstract: 本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中阵列基板上制作具有二维电子气层的开关管和LED形成的发光单元，通过给开关管的第三电极层施加电压，控制二维电子气层的夹断或打开，从而控制开关管的第一电极层和第二电极层的断开或导通，其中，开关管的第二电极层与LED的P型半导体层上的透明导电层电性连接，而LED的N型半导体层与第三传输线相连，在第三传输线上通电，控制第三电极层的电势，进而控制LED的P型半导体层和N型半导体层上的电流，进而控制LED的点亮或关闭，从而达到显示画面的目的。由于二维电子气层的高迁移率，可以使得开关管小型化，进而实现LED作为小型电子设备的高分辨率显示屏幕。
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公开(公告)号：CN107293620B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710570324.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
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公开(公告)号：CN107331741B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710595928.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即可实现多个Micro LED子芯片独立发光，而无需通过每个Micro LED子芯片都设置第二电极进行发光控制，电极网设置在隔离层上，且电极网位置与隔离层位置相对设置，避免了电极网对有效发光区域的遮挡，从而极大地减小电极的挡光面积，对比现有技术，增加了Micro LED芯片的发光面积，有效提高了Micro LED芯片的发光效率。
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