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公开(公告)号：CN106129219A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
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公开(公告)号：CN106129214A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
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公开(公告)号：CN106129192A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610567049.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
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公开(公告)号：CN105932034A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610458487.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/005
Abstract: 增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119584731A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411955642.7
申请日：2024-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/82 , H10H20/84 , H10H20/819 , H10H20/01 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片通过设置外延叠层单元，外延叠层单元至少包括：从下至上依次层叠于衬底上的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；其中,在第二型半导体层上表面的边缘区域设有凹凸的微结构，微结构可以做为绝缘保护层形成过程的成核点，以提高绝缘保护层的致密性及粘附性，有利于缓解LED芯片上表面边缘区域的应力集中以提升LED芯片的防水汽能力，进而提高LED芯片的可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068730B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN109616562B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201811346721.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一LED发光芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的至少一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层的所述P型连接针通道后被电连接于所述透明导电层，在一列所述N型电极连接针中，至少一个所述N型电极连接针与两个相邻所述N型电极连接针的间距不同，在一列所述P型电极连接针中，至少一个所述P型电极连接针与两个相邻所述P型电极连接针的间距不同，通过这样的方式，所述LED发光芯片的电流能够被均匀地分布。
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公开(公告)号：CN109244209B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810885637.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN116364814A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310348992.6
申请日：2023-04-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过深蚀刻所述外延叠层至裸露所述衬底表面，形成通过沟道相互间隔排布的若干个LED单元；接着，沉积第一电极和第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽，所述第二电极层叠于所述台面；接着，在所述沟道内预留划片道区域，并在所述划片道区域的表面制作粘附层；接着，制作钝化层，所述钝化层覆盖所述外延叠层，并通过刻蚀工艺裸露所述粘附层、第一电极以及第二电极的至少部分表面；接着，沿所述划片道进行划片、裂片加工，以获得若干个LED单元；在划片、裂片过程中，通过所述粘附层增加所述钝化层与外延叠层的粘附性，以用于缓解所述钝化层的翘曲。
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公开(公告)号：CN111048414B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201911366357.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 邬新根
IPC: H01L21/3065 , H01L33/00 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供了一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管，包括采用ICP刻蚀机及相应刻蚀气体，且通过开口对待刻蚀外延片进行刻蚀形成沟槽；采用ICP刻蚀机及相应物理溅射气体，对掩膜层背离待刻蚀外延片一侧的表面进行轰击，使部分掩膜层溅射粘附于沟槽的侧壁，而形成散落点状的遮蔽层；采用ICP刻蚀机及相应化学气体，对遮蔽层裸露沟槽的侧壁处进行化学腐蚀。可见，对ICP刻蚀机通入相应刻蚀气体完成待刻蚀外延片的沟槽刻蚀过程；对ICP刻蚀机通入相应化学气体对遮蔽层裸露沟槽的侧壁进行化学腐蚀，完成沟槽侧壁的粗化过程；采用同一ICP刻蚀机完成沟槽刻蚀和沟槽的内壁粗化，提高发光二极管的制作效率，降低发光二极管的制作成本。
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