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公开(公告)号：CN104003352B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410264566.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构，该方法包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔；b）键合所述垫片及所述衬底片；c）将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面；e）键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度，可降低真空封装的体积；只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN108074979A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711236051.4
申请日：2017-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/10 , G01N27/00
Abstract: 本发明提供一种基于垂直遂穿的场效应晶体管及生物传感器及制备，晶体管制备包括：提供SOI衬底；减薄顶层硅，定义出硅纳米线沟道图形及连接于两端的源区图形及漏区图形；将上述图形转移至顶层硅上，并进行离子注入形成硅纳米线沟道、源区及漏区；减薄源区，并于部分源区表面及纳米线沟道表面形成介质层；于源区的表面制作源电极，于所述漏区表面制作漏电极，并于底层硅或埋氧层上制作栅电极。通过上述方案，本发明的晶体管基于垂直隧穿，包含点隧穿和线隧穿，具有更低的亚阈值斜率，可用于高灵敏的生化分子检测；具有双极特性，可对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性；采用高K介质层材料，增强检测的稳定性并提高对生物分子的响应能力。
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公开(公告)号：CN108007580A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711447533.4
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN107871666A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710872129.5
申请日：2017-09-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的制作方法，包括步骤：提供一{100}半导体衬底，在该衬底上制备成对凹槽；采用各向异性腐蚀法腐蚀成对凹槽内衬底材料，槽侧壁形成似锯齿型结构；在凹槽底部制作与其窗口中心对准的新凹槽，再各向异性腐蚀得到新的似锯齿型结构；采用高温氧化技术在成对槽之间的壁上形成被被包裹在被氧化的半导体璧中的垂直堆叠集成的半导体纳米线；最后在该半导体纳米线两端和中间制作源、漏、栅极，形成场效应晶体管。本发明工艺过程简单，仅需采用普通光刻技术等常规MEMS工艺，设备参数设计具有一般性，成本低廉，只需根据目标刻蚀深度控制刻蚀时间即可，可控性高，易于实现。
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公开(公告)号：CN103928342B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410165328.9
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线隧穿场效应晶体管及其制作方法，包括步骤：1）提供一SOI衬底，包括底层硅、埋氧层及顶层硅；2）减薄所述顶硅层并于表面形成二氧化硅层；3）采用光刻工艺及湿法腐蚀工艺形成硅纳米线沟道、源区及漏区；4）于所述源区、漏区的周侧及硅纳米线沟道的一侧形成保护层，采用湿法腐蚀工艺对所述硅纳米线沟道的另一侧进行腐蚀，形成具有三角形截面的硅纳米线沟道；5）于所述硅纳米线沟道表面形成氧化层；6）形成源区及漏区；7）制作源电极及漏电极。本发明的硅纳米线基于自上而下方法，采用氮化硅侧壁保护和TMAH各向异性自停止腐蚀实现制作，工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容，成本较低，适用于工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104122223B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410386280.4
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明涉及一种双光程多气体红外气体传感器，主要包括双光程多气体检测腔、红外光源、多元探测器、防水透气膜、信号放大模块、模数转换模块、信号处理模块、通讯显示模块。所述双光程多气体检测腔包括环形腔和盖板。红外光源发出红外光的下半部分经平面反光镜反射后到达多元探测器下半部分，构成第1短光程；红外光源发出红外光的上半部分经环形腔内表面多次反射后到达多元探测器上半部分，构成第2长光程，在单腔室内实现了长、短两种光程。本发明可以满足红外吸收率不同气体同时检测的要求，同时还可以满足同种气体不同检测精度的需求，方便实现多气体检测及识别，可广泛应用于多种场合下气体的实时监测。
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公开(公告)号：CN104047060B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310080785.3
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B31/08
Abstract: 本发明提供一种对石墨烯进行硫掺杂的方法，包括步骤：1）提供石墨烯，将所述石墨烯置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于500~1050℃下通入硫源气体对所述石墨烯进行硫掺杂；4）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的对石墨烯进行硫掺杂，经济成本低，可大规模生产；可以实现对石墨烯进行大面积的硫掺杂；可直接对绝缘衬底或金属衬底上的石墨烯进行掺杂，便于制作硫掺杂石墨烯器件；制备过程中，可以通过调节硫源气体流量控制硫掺杂浓度，从而实现对石墨烯进行可控掺杂。
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公开(公告)号：CN105428518A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510778969.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN103922274B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410182370.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维红外光源及其制作方法，提供一硅片；在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜；在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止；沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列；去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜；形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝，在电阻丝表面形成钝化层；在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口；沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止；沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明采用电阻丝位于凹槽阵列中，减少了发热丝通过衬底的热传导，减少空气热对流引起的热耗散，实现了能量聚集的作用，降低功耗的同时，提高了能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103296190B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210048653.8
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维热电能量收集器及其制作方法，通过在低阻硅上刻蚀出多个凹槽及凹槽之间的硅柱，然后在凹槽表面形成绝缘层，并通过薄膜沉积技术制作热电柱，藉由所述热电柱与相邻的硅柱组成热电偶对，接着通过刻蚀沉积等工艺制作金属布线，衬底减薄、键合支撑衬底等工艺完成所述三维热电能量收集器的制作。本发明只需一次薄膜沉积工艺就完成了热电偶对结构的制作，简化了制作工艺。选择硅作为热电偶对的一种组分，保证了热电偶具有较高的塞贝克系数。采用垂直的柱形结构热电偶对，提高了热电能量收集器的机械稳定性。通过圆片级键合将热电偶结构和上下支撑衬底进行键合，提高了制作效率。
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