公开(公告)号：CN102953052B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210307203.6

申请日：2012-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  牛窪繁博 ,  相川胜芳

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括：真空容器，其用于容纳基板；载置台；等离子体产生气体供给部；天线，其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，绕纵向的轴线卷绕而成；法拉第屏蔽件，其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过，由接地的导电性的板状体构成，法拉第屏蔽件包括：狭缝组，其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧；窗部，其在板状体的被狭缝组包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在窗部与狭缝组之间，以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路，在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。

公开(公告)号：CN104831255A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510071141.7

申请日：2015-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  佐藤润 ,  村田昌弘 ,  大下健太郎 ,  菅野智子 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。

公开(公告)号：CN103088319B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201310016980.X

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  竹内靖 ,  牛窪繁博 ,  菊地宏之

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J1/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。

公开(公告)号：CN102134710B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201010621824.2

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  竹内靖

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其其一个面具有基板载置区域；第1、第2反应气体供给部，它们分别配置在容器内的第1、第2供给区域中，用于向一个面供给第1、第2反应气体；分离区域，其配置在第1和第2供给区域之间，包括用于喷出将第1和第2反应气体分离的分离气体的分离气体供给部及形成用于朝向第1和第2供给区域供给上述分离气体的分离空间的顶面；第1和第2排气口，它们与第1和第2供给区域相对应地设置；第1和第2排气口中的至少一个配置为，将朝向所对应的供给区域供给的分离气体向沿着所对应的反应气体供给部延伸的方向引导。

公开(公告)号：CN102134709B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201010621810.0

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  竹内靖

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使载置有多个晶圆的旋转台旋转，晶圆依次与供给到第1和第2处理区域中的第1和第2反应气体接触，在晶圆的表面形成薄膜，设有进行使第1反应气体吸附于晶圆表面的处理的第1处理区域、及面积大于该第1处理区域的面积的、进行使第2反应气体与吸附在晶圆表面的第1反应气体发生化学反应的处理的第2处理区域，与吸附相比，能够将化学反应的处理时间确保得较长，即使提高旋转台的转速，也能够充分地进行与金属吸附相比需要更长时间的化学反应而进行良好的成膜处理。

公开(公告)号：CN103966575A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043876.4

申请日：2014-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。

公开(公告)号：CN102978586A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210326691.5

申请日：2012-09-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菱谷克幸 ,  牛窪繁博

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32733

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置在旋转台的旋转方向上将两个等离子体产生部互相分开设置，并且在该等离子体产生部与晶圆之间分别配置法拉第屏蔽。而且，在各个法拉第屏蔽上设有沿与各个等离子体产生部中的天线正交方向上延伸的狭缝，对于在各个天线中产生的电场磁场中的电界进行屏蔽，另一方面使磁场向晶圆侧通过。

公开(公告)号：CN102953047A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210295000.X

申请日：2012-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  牛窪繁博 ,  菱谷克幸

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供成膜装置，包括：旋转台，其设于真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域，并且用于使该基板载置区域旋转；气体喷嘴，其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置，沿其长度方向形成有用于喷出气体的气体喷出口；排气口，其设于气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向侧且比旋转台的外缘靠外侧的位置，用于排出气体；限制构件，其包括壁部，该壁部配置于气体喷嘴与排气口之间，设置为在基板载置区域载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从基板载置区域的内缘延伸到外缘，并且，该壁部在从基板载置区域的内缘到外缘之间的至少一部分区域将气体喷嘴与排气口之间隔开。

公开(公告)号：CN101665927B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910172127.0

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第1、第2反应气体供给到第1、第2处理区域的第1、第2反应气体供给部件；位于上述第1、第2处理区域之间，具有供给第1分离气体的第1分离气体供给部件和顶面的分离区域；位于上述真空容器内部，形成有喷出第2分离气体的喷出孔的中心部区域；排气口；使上述旋转台以上述基板通过上述第1处理区域时的上述旋转台的角速度与上述基板通过上述第2处理区域时的旋转台的角速度为不同的角速度的方式旋转。

公开(公告)号：CN102776491A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210147817.2

申请日：2012-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菱谷克幸 ,  菊地宏之 ,  牛窪繁博 ,  尾崎成则

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向在上述旋转台的周向上隔着分离区域与第一区域分开的第二区域供给第二处理气体；等离子体产生气体供给部，向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，其与上述旋转台的上述一个表面相对，利用电感耦合使上述等离子体产生用气体在等离子体空间内产生等离子体；法拉第屏蔽件，其接地，设在上述天线与上述等离子体空间之间，具有在与上述天线正交的方向上排列的多个狭缝。