-
公开(公告)号：CN102403359A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110311821.3
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
-
公开(公告)号：CN116705609B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN118738048A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410628372.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种碳化硅全集成器件及其制备工艺，用于解决碳化硅器件间的串扰漏电。器件包括碳化硅衬底和外延层，在外延层内设有高低压隔离结构，其内部区域为低压区，外部区域为高压区；高低压隔离结构包括纵向隔离层，在纵向隔离层的两端分别设有低压横向隔离区且低压横向隔离区，其包括连接于纵向隔离层的重掺杂区及设在其上的隔离沟槽，在重掺杂区上连接有穿越隔离沟槽的金属电极，并在金属电位电极上施加抬升电压。碳化硅全集成器件制备工艺包括：形成衬底、外延生长、沟槽刻蚀、离子注入、生长栅氧化层、淀积多晶硅、淀积蚀钝化层、刻蚀钝化层、淀积金属、刻蚀金属等步骤。本发明具有耐高温、抗辐射能力强、低漏电、低串扰的优点。
-
公开(公告)号：CN118538755A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310153162.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括：基底；第一氮化镓层，设于所述基底上；第一介质层，设于所述第一氮化镓层上；第一栅极，设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法，通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层，这样，一方面，第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴，从而提高器件的阈值电压；另一方面，相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件，在保证器件增强型的前提下，本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚，进而减小器件的导通电阻，提高器件的输出电流。
-
公开(公告)号：CN110729345B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201910933319.2
申请日：2019-09-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件，具备：P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型体区内并肩设有呈方波形状的重掺杂的N型发射极区和重掺杂的P型发射区，在其两侧分别设有呈方波形状的第一纵向沟槽和第二纵向沟槽。第一纵向沟槽设有由耐压介质包裹的第一多晶硅层。对于第二纵向沟槽，在与重掺杂的P型集电极区平行的部分中填充有耐压介质包裹的第二多晶硅层，在位于由重掺杂的N型发射极区指向重掺杂的P型集电极区方向上的部分中填充有耐压介质包裹的第三多晶硅层和氧化物块体，且氧化物块体位于第三多晶硅层的上方，第二多晶硅层与第三多晶硅层连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115273497B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210924707.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 河北雄安荣乌高速公路有限公司 , 河北省交通规划设计研究院有限公司 , 东南大学
Inventor： 杨祥 , 雷伟 , 杨阳 , 靳进钊 , 刘攀 , 李春杰 , 焦彦利 , 张超 , 王庆远 , 韩明敏 , 侯建华 , 金凤温 , 张泽云 , 李志斌 , 张龙 , 李红刚 , 孙闻鹏 , 韩雨 , 彭彬 , 季欣凯 , 冯海燕
Abstract: 本发明实施例公开了一种高速公路交通协同控制方法、电子设备和存储介质。其中，方法包括：当高速公路上发生交通事故时，获取事故位置、所述事故位置上游受影响区域的起始位置，以及所述受影响区域内的入口匝道和出口匝道；分别预测所述起始位置处主线、所述入口匝道和出口匝道在未来第二设定时长内的第一交通流量；将所述第一交通流量作为边缘节点流量，构建所述受影响区域的路网仿真模型；基于模型预测控制方法多次运行所述路网仿真模型，迭代更新所述路网仿真模型中的交通控制参数；根据最终的交通控制参数，对所述主线、所述入口匝道和所述出口匝道进行协同交通控制。本实施例在事故发生时对道路主线和匝道协同进行交通控制。
-
公开(公告)号：CN112768517B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911065246.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
-
公开(公告)号：CN110034176B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910327603.5
申请日：2019-04-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。
-
公开(公告)号：CN110190120B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910370872.X
申请日：2019-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管，在维持电流能力，耐压能力不下降的前提下，减小第二个栅脉冲开启时流经器件的电流峰值。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成夹断区。P型体区表面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极由位于P型体区表面上方的第一栅电极和位于夹断区及N型漂移区上方的第二栅电极组成，第一栅电极接第一栅电阻，第二栅电极接第二栅电阻。
-
公开(公告)号：CN110190120A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910370872.X
申请日：2019-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管，在维持电流能力，耐压能力不下降的前提下，减小第二个栅脉冲开启时流经器件的电流峰值。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成夹断区。P型体区表面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极由位于P型体区表面上方的第一栅电极和位于夹断区及N型漂移区上方的第二栅电极组成，第一栅电极接第一栅电阻，第二栅电极接第二栅电阻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.029 seconds)
