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公开(公告)号：CN102403359B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110311821.3
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
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公开(公告)号：CN101976670B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010266465.3
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的N型外延层，Ⅰ区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：P型三极管漂移区、N型深阱、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区、P型源区和N型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于P型基区包在P型缓冲区内部，N型漏区上的漏极金属与P型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101976670A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010266465.3
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的N型外延层，Ⅰ区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：P型三极管漂移区、N型深阱、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区、P型源区和N型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于P型基区包在P型缓冲区内部，N型漏区上的漏极金属与P型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。
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公开(公告)号：CN113858205A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111240136.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 东南大学
IPC: B25J9/16
Abstract: 本发明公开了一种基于改进RRT*的七轴冗余机械臂避障算法，包括以下步骤：S1、确定机械臂DH模型，定义机械臂2,4,6轴组成的臂平面与参考面间的夹角为臂角；S2、根据DH模型矩阵表达式求解，期望位姿矩阵和臂角共七个约束条件，结合机械臂几何构型，解得七个关节角；S3、根据启发式偏向采样策略，获得随机树采样点；S4、结合启发式偏向采样策略，利用RRT*算法搜索出一条起始与期望位置间的无碰渐进最优路径，机械臂沿其运动过程中检测是否发生碰撞。发生碰撞则改变臂角，利用零空间自运动来避开障碍物。本申请使用改进的RRT*避障算法属于智能优化算法的一种，在RRT*算法的基础上结合启发式偏向采样策略与零空间自运动进行改进，提高了算法的规划速度与效率。
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公开(公告)号：CN102403359A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110311821.3
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
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公开(公告)号：CN201918387U
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201020507563.7
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域I和II的N型外延层，I区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，II区包括：P型三极管漂移区、N型深阱、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区、P型源区和N型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于P型基区包在P型缓冲区内部，N型漏区上的漏极金属与P型基区上的基极金属通过金属层连通。本实用新型在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。
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公开(公告)号：CN202394980U
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201120391574.8
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
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