公开(公告)号：CN110034176A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910327603.5

申请日：2019-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  李少红 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。

公开(公告)号：CN112768521A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911001601.3

申请日：2019-10-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。

公开(公告)号：CN111261722B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202010072965.7

申请日：2020-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  朱桂闯 ,  李少红 ,  杨兰兰 ,  祝靖 ,  时龙兴

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。

公开(公告)号：CN112768521B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911001601.3

申请日：2019-10-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。

公开(公告)号：CN110034176B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910327603.5

申请日：2019-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  李少红 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。

公开(公告)号：CN111261722A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010072965.7

申请日：2020-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  朱桂闯 ,  李少红 ,  杨兰兰 ,  祝靖 ,  时龙兴

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。