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公开(公告)号：CN109192787B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810801921.6
申请日：2018-07-19
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管及其制造方式，包括：阴极金属，在阴极金属的上方有N型本征区，在N型本征区的上方有阳极金属，在阴极金属上设有相互间隔分布的轻掺杂N型区域和重掺杂N型区域，轻掺杂N型区域的底部与阴极金属为肖特基接触，在N型本征区与阳极金属之间设有相互间隔分布的重掺杂P型区域和轻掺杂P型区域，并且，重掺杂P型区域的上表面低于轻掺杂P型区域的上表面，形成凹槽型阳极区域，轻掺杂P型区域与阳极金属为肖特基接触。所述两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，通过一步刻蚀可以同时形成阳极表面和侧壁的肖特基接触。
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公开(公告)号：CN109192787A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810801921.6
申请日：2018-07-19
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管及其制造方式，包括：阴极金属，在阴极金属的上方有N型本征区，在N型本征区的上方有阳极金属，在阴极金属上设有相互间隔分布的轻掺杂N型区域和重掺杂N型区域，轻掺杂N型区域的底部与阴极金属为肖特基接触，在N型本征区与阳极金属之间设有相互间隔分布的重掺杂P型区域和轻掺杂P型区域，并且，重掺杂P型区域的上表面低于轻掺杂P型区域的上表面，形成凹槽型阳极区域，轻掺杂P型区域与阳极金属为肖特基接触。所述两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，通过一步刻蚀可以同时形成阳极表面和侧壁的肖特基接触。
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公开(公告)号：CN110828580A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911058196.9
申请日：2019-10-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区，在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区、N型轻掺杂阴极区及N型重掺杂阴极区，在N型漂移区的表面并处于N型重掺杂阴极区的外侧以及N型重掺杂阴极区与P型轻掺杂阳极区之间的区域设有氧化层，在P型重掺杂阳极区、N型重掺杂阴极区及P型衬底上分别连接有阳极金属、阴极金属及衬底金属，其特征在于，在P型轻掺杂阳极区的表面并位于P型重掺杂阳极区的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区、N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。
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公开(公告)号：CN110034176A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910327603.5
申请日：2019-04-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。
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公开(公告)号：CN109830524A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910055794.4
申请日：2019-01-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述NMOS管的漏极连接，以形成阴极和阳极分别连接于本发明所提结构漏极与源极的肖特基二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768521B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911001601.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN110190113A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910410221.9
申请日：2019-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种消除负阻效应的阳极短路型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有氧化层埋层，在氧化层埋层上设有N型漂移区，其特征在于，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在N型漂移区内设有LIGBT和NMOS，所述LIGBT包括第一N型重掺杂区，在第一N型重掺杂区内设有P型重掺杂阳极区，所述NMOS包括第二N型重掺杂区，在第二N型重掺杂区内设有P型阱区，在P型阱区内包围有N型重掺杂阳极区，所述第二N型重掺杂区与P型阱区电连接，在二氧化硅氧化层内设有多晶硅栅且所述多晶硅栅自N型重掺杂阳极区的上方区域跨过P型阱区并进入第二N型重掺杂区的上方区域，所述多晶硅栅还与N型重掺杂阳极区及P型重掺杂阳极区连接。
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公开(公告)号：CN109860301A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910055795.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。
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公开(公告)号：CN111261722B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010072965.7
申请日：2020-01-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。
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公开(公告)号：CN109830524B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910055794.4
申请日：2019-01-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述NMOS管的漏极连接，以形成阴极和阳极分别连接于本发明所提结构漏极与源极的肖特基二极管。
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