公开(公告)号：CN109860301A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910055795.9

申请日：2019-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李阿江 ,  李少红 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。

公开(公告)号：CN109742030A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910055731.9

申请日：2019-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  李阿江 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种阈值电压稳定的电子辐照快恢复SJ-VDMOS制备方法，步骤如下：取N+衬底；在N+衬底上生长N型外延层；对这层N型外延层进行电子辐照，形成N型辐照外延层；在N型辐照外延层上继续生长另一层N型外延层，并由所述N型辐照外延层与所述另一层N型外延层构成N型复合外延层，此N型外延层不再经历电子辐照，为N型无辐照外延层；在所述另一层N型外延层上表面形成P型体区，在N型复合外延层中形成P柱；在N型复合外延层上表面形成栅氧化层及多晶硅栅；在P型体区表面形成N+源区以及P+区域；淀积层间介质，刻蚀接触孔，淀积源端金属，进行背面处理以形成漏端金属电极，从而形成最终的器件结构。

公开(公告)号：CN109860301B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910055795.9

申请日：2019-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李阿江 ,  李少红 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ‑VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。