公开(公告)号：CN109192787B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810801921.6

申请日：2018-07-19

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 祝靖 ,  李少红 ,  孙玲 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管及其制造方式，包括：阴极金属，在阴极金属的上方有N型本征区，在N型本征区的上方有阳极金属，在阴极金属上设有相互间隔分布的轻掺杂N型区域和重掺杂N型区域，轻掺杂N型区域的底部与阴极金属为肖特基接触，在N型本征区与阳极金属之间设有相互间隔分布的重掺杂P型区域和轻掺杂P型区域，并且，重掺杂P型区域的上表面低于轻掺杂P型区域的上表面，形成凹槽型阳极区域，轻掺杂P型区域与阳极金属为肖特基接触。所述两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，通过一步刻蚀可以同时形成阳极表面和侧壁的肖特基接触。

公开(公告)号：CN109192787A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810801921.6

申请日：2018-07-19

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 祝靖 ,  李少红 ,  孙玲 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管及其制造方式，包括：阴极金属，在阴极金属的上方有N型本征区，在N型本征区的上方有阳极金属，在阴极金属上设有相互间隔分布的轻掺杂N型区域和重掺杂N型区域，轻掺杂N型区域的底部与阴极金属为肖特基接触，在N型本征区与阳极金属之间设有相互间隔分布的重掺杂P型区域和轻掺杂P型区域，并且，重掺杂P型区域的上表面低于轻掺杂P型区域的上表面，形成凹槽型阳极区域，轻掺杂P型区域与阳极金属为肖特基接触。所述两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，通过一步刻蚀可以同时形成阳极表面和侧壁的肖特基接触。