公开(公告)号：CN110190113A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910410221.9

申请日：2019-05-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  邹艳勤 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 一种消除负阻效应的阳极短路型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有氧化层埋层，在氧化层埋层上设有N型漂移区，其特征在于，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在N型漂移区内设有LIGBT和NMOS，所述LIGBT包括第一N型重掺杂区，在第一N型重掺杂区内设有P型重掺杂阳极区，所述NMOS包括第二N型重掺杂区，在第二N型重掺杂区内设有P型阱区，在P型阱区内包围有N型重掺杂阳极区，所述第二N型重掺杂区与P型阱区电连接，在二氧化硅氧化层内设有多晶硅栅且所述多晶硅栅自N型重掺杂阳极区的上方区域跨过P型阱区并进入第二N型重掺杂区的上方区域，所述多晶硅栅还与N型重掺杂阳极区及P型重掺杂阳极区连接。

公开(公告)号：CN110828580A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911058196.9

申请日：2019-10-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  邹艳勤 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区，在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区、N型轻掺杂阴极区及N型重掺杂阴极区，在N型漂移区的表面并处于N型重掺杂阴极区的外侧以及N型重掺杂阴极区与P型轻掺杂阳极区之间的区域设有氧化层，在P型重掺杂阳极区、N型重掺杂阴极区及P型衬底上分别连接有阳极金属、阴极金属及衬底金属，其特征在于，在P型轻掺杂阳极区的表面并位于P型重掺杂阳极区的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区、N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。

公开(公告)号：CN110828580B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201911058196.9

申请日：2019-10-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  邹艳勤 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区，在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区、N型轻掺杂阴极区及N型重掺杂阴极区，在N型漂移区的表面并处于N型重掺杂阴极区的外侧以及N型重掺杂阴极区与P型轻掺杂阳极区之间的区域设有氧化层，在P型重掺杂阳极区、N型重掺杂阴极区及P型衬底上分别连接有阳极金属、阴极金属及衬底金属，其特征在于，在P型轻掺杂阳极区的表面并位于P型重掺杂阳极区的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区、N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。

公开(公告)号：CN110190113B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201910410221.9

申请日：2019-05-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  邹艳勤 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 一种消除负阻效应的阳极短路型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有氧化层埋层，在氧化层埋层上设有N型漂移区，其特征在于，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在N型漂移区内设有LIGBT和NMOS，所述LIGBT包括第一N型重掺杂区，在第一N型重掺杂区内设有P型重掺杂阳极区，所述NMOS包括第二N型重掺杂区，在第二N型重掺杂区内设有P型阱区，在P型阱区内包围有N型重掺杂阳极区，所述第二N型重掺杂区与P型阱区电连接，在二氧化硅氧化层内设有多晶硅栅且所述多晶硅栅自N型重掺杂阳极区的上方区域跨过P型阱区并进入第二N型重掺杂区的上方区域，所述多晶硅栅还与N型重掺杂阳极区及P型重掺杂阳极区连接。