公开(公告)号：CN115943481A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180052467.9

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷圭惠 ,  高桥基 ,  须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大类贵俊

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。

公开(公告)号：CN109494153B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201811060888.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长友优 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域。接着，以保留第1区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻。在钨膜的形成中，对被加工物提供含有钨的前体气体。并且，为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体。

公开(公告)号：CN114792626A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210055438.4

申请日：2022-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大内田聪 ,  向山广记 ,  若生悠辅 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置，能够去除存在于基板或部件的表面的物质。提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的基板处理方法。该基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将基板支承部的温度控制为第一温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将基板支承部的温度控制为第二温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，第一温度和第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，第二温度和第二压力位于比吸附平衡压曲线靠下的第二区域。

公开(公告)号：CN112908844A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202011238186.6

申请日：2020-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  木原嘉英 ,  户村幕树

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增加，并且利用来自等离子体的化学种或其他化学种，由前体层形成保护区域。执行分别包含形成前体层的步骤和蚀刻膜的步骤的多个循环。至少一个循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度和至少一个其他循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度，被设定为彼此不同的温度。根据本发明，能够提供保护膜的侧壁面并且在形成于膜的开口的深度方向上控制该开口的宽度的技术。

公开(公告)号：CN112838004A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011284490.4

申请日：2020-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  熊仓翔 ,  笹川大成 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置，改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括：工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b)是对被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部的工序。工序c)是将载置台的温度设定为第一温度，在凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜的工序。工序d)是进一步对形成有第一膜的被蚀刻膜进行局部蚀刻的工序。工序e)是将载置台的温度设定为与第一温度不同的第二温度，在凹部的侧壁形成具有与第一膜厚分布不同的第二膜厚分布的第二膜的工序。

公开(公告)号：CN111640663A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010107586.7

申请日：2020-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新关智彦 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明提供一种处理基片的基片处理方法，其中，该基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于上述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，该基片处理方法包括用混合气体生成的等离子体通过上述掩模的开口部蚀刻上述被蚀刻膜的步骤，其中上述混合气体是在含卤素气体中添加具有羰基键的气体而得到的混合气体。

公开(公告)号：CN111508827A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010063244.X

申请日：2020-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 提供了一种用于在等离子体腔中处理基底的方法。该方法包括提供其上形成将被蚀刻的下层和掩模的基底。该方法还包括在掩模上形成保护膜。该方法还包括执行各向异性沉积以在掩模的顶部上选择性地形成沉积层。

公开(公告)号：CN111066129A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201980004391.5

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N、氢H和氟F的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤。该化合物含有构成比氟化氢HF强的酸的阴离子的元素，或者含有构成比氨NH3强的碱的阳离子的元素。

公开(公告)号：CN110777361A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910665735.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN105489485B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201510645212.X

申请日：2015-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，其能够提高多重图案形成法中掩模尺寸的控制性。在一实施方式的方法中，执行在第一掩模和防反射膜上形成氧化硅膜的步骤。在该步骤中，交替地生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体和包含氧气的第二气体的等离子体。接着，以仅残留形成于第一掩模的侧面上的区域的方式除去氧化硅膜的其他区域。接着，除去第一掩模。然后，对防反射膜和有机膜进行蚀刻。