公开(公告)号：CN105765702B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201480064323.5

申请日：2014-10-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 加藤忠弘

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00 ,  B24B49/02

Abstract: 本发明是一种倒角加工装置(1)，其由倒角加工部(4)、清洗部(5)、及倒角形状测定部(7)构成，该倒角加工部(4)去除晶圆(W)的切口，该清洗部(5)进行晶圆的清洗和干燥，该倒角形状测定部(7)进行倒角形状的测定；其中，在倒角加工部、清洗部及倒角形状测定部，分别具备保持晶圆的旋转台和控制旋转台与晶圆的旋转位置的控制装置；旋转台具有旋转开始时的旋转位置的基准位置，并保持相对于该基准位置的旋转开始时的旋转位置在所有的旋转台上都是相同的旋转位置，控制装置控制晶圆的旋转开始时的旋转位置与旋转结束时的旋转位置，使其总是位于特定的位置。由此，即使是对于无切口晶圆也能适当地进行反馈控制，并能抑制倒角形状尺寸的偏差，能实现所希望的晶圆倒角部的剖面形状精度。

公开(公告)号：CN105992840B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201480062812.7

申请日：2014-10-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 添田聪 ,  中野真二 ,  池田光市

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明为一种单晶硅的制造方法，其是基于CZ法来制造N型单晶硅，所述CZ法具有使籽晶体取向坩埚中的硅熔液进行着液的引晶工序、以及之后提拉所述籽晶并使直径变细的缩颈工序，在该N型单晶硅的制造中，根据所述引晶时的温度与所述缩颈时的温度的差来预测所述硅熔液中的掺杂剂浓度，并基于该预测出的硅熔液中的掺杂剂浓度来控制提拉单晶的电阻率。由此，提供一种单晶硅的制造方法，其能够高效地制造所希望电阻率的单晶硅。

公开(公告)号：CN104903053B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201380070087.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  内山勇雄

IPC: B24B37/28

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置用载具，在双面研磨装置中，被配置于各自贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间，该双面研磨装置用载具形成有保持孔，该保持孔用于在研磨时保持夹在所述上磨盘和下磨盘之间的晶圆，其特征在于，该载具的上下的主要表面部是由β型钛合金所构成，该β型钛合金是使纯钛中含有0.5重量％以上的β稳定元素而成。由此，提供一种耐磨耗性优异且能够降低成本的双面研磨用载具。

公开(公告)号：CN105814676B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201480066875.X

申请日：2014-11-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 镰田洋之 ,  星亮二

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N15/06 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04 ,  G01N27/041 ,  H01L22/14 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。

公开(公告)号：CN105474358B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480045780.X

申请日：2014-07-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  加藤正弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法，其使用具有切口部的晶圆作为接合晶圆和基底晶圆，在离子注入时，设定进行离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在接合晶圆的剥离时，使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。由此，能提供一种贴合晶圆的制造方法，在利用离子注入剥离法来形成SOI层等薄膜时，能够降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN106255923B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201580020539.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: G03F7/20 ,  G01B21/20

CPC classification number: G01B21/20 ,  G01B21/30 ,  G01B2210/56 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明为一种晶圆的弯曲的评价方法，包含：第一步骤，测量未吸附的自由状态的晶圆的弯曲，以及第二步骤，使用经测量的晶圆的弯曲的数据，求出与点P相隔距离a的点Q1与点Q2的两点之间的晶圆弯曲量A，以及求出与点P相隔不同于距离a的距离b的点R1与点R2的两点之间的晶圆弯曲量B，根据晶圆弯曲量A与晶圆弯曲量B计算出于点P中晶圆弯曲量的差，并根据所计算出的晶圆弯曲量的差而评价晶圆的弯曲。如此一来，导入显示于吸附晶圆时因插针夹头的节距差异所产生的弯曲的修正程度的差的新参数，并且使用此新参数评价晶圆的弯曲。

公开(公告)号：CN107848092A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680040269.X

申请日：2016-07-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 渡边城康

IPC: B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  B28D7/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种工件支架，使用于以线锯切断工件时，包含：工件板，经由抵板而粘接固定于工件、支架本体、支承工件板，其中在工件的径方向之中，在将与工件板的工件粘接面为平行的方向设为x轴方向、为垂直的方向设为y轴方向的状况下，修正x轴方向的工件的结晶方位轴的偏差而将工件板粘接固定于工件，工件支架通过将工件板倾斜向y轴方向而调整被支承于工件板的工件的y轴方向的斜度，而以被调整的斜度将工件板及工件固定于支架本体的工件支架。通过此工件支架及使用此工件支架的工件的切断方法，能以外设置方式实现规格严苛的晶棒的切断。

公开(公告)号：CN105939961B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201580006723.5

申请日：2015-01-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松岛秀明 ,  小野泽一郎 ,  矢岛涉

IPC: C01B23/00 ,  B01D53/04 ,  B01D53/28

CPC classification number: C01B23/0094 ,  B01D53/0462 ,  B01D53/047 ,  B01D53/261 ,  B01D53/62 ,  B01D53/75 ,  B01D53/864 ,  B01D53/8671 ,  B01D2253/104 ,  B01D2253/106 ,  B01D2253/108 ,  B01D2255/1021 ,  B01D2256/18 ,  B01D2257/102 ,  B01D2257/104 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/80 ,  B01D2258/0216 ,  C01B23/001 ,  C01B23/0015 ,  C01B23/0021 ,  C01B23/0057 ,  C01B23/0068 ,  C01B23/0078 ,  C01B2210/0034 ,  C01B2210/0045 ,  C01B2210/0046 ,  C01B2210/005 ,  C01B2210/0098 ,  Y02A50/2341 ,  Y02C10/04 ,  Y02C10/08 ,  Y02P20/152

Abstract: 本发明是一种氩气回收精制方法及氩气回收精制装置，该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、用去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序，在通过将催化剂配置于双级压缩机内，仅用压缩热进行所述催化反应来得到所述回收气体的工序中，在预先用干燥机去除所述水后，用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳。由此提供一种使用简单且低成本的设备，就能够稳定去除从单晶硅制造装置排出的大风量氩气中所含的杂质气体的氩气回收精制方法。

公开(公告)号：CN107428532A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680016958.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  松嶋秀明

IPC: C01B23/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C01B23/0021 ,  B01D53/02 ,  B01D2257/504 ,  C01B13/024 ,  C01B32/50 ,  C01B2210/0034 ,  C01B2210/0045 ,  C01B2210/005 ,  C01B2210/0053 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种氩气的纯化方法，其是向作为杂质含有氢、一氧化碳、氧的氩气中，添加氧而在催化塔中将氢和一氧化碳转换为水和二氧化碳，或添加氢而将氧转换为水的氩气的纯化方法，其特征在于，具有：在催化塔出口侧监测氢、一氧化碳、氧的工序；以及在催化塔出口侧检测出氢以及一氧化氧中的任一种的情况下向氩气中添加氧的工序、和在检测出氧的情况下添加氢的工序中的至少一种工序，相对于氩气被连续地供给至催化塔，间歇性地进行被添加至催化塔的氧或氢的添加。由此，提供一种氩气的纯化方法，其通过向作为杂质含有氢、一氧化碳、氧的氩气中间歇性地添加氧以及氢，从而不需要用于除去剩余的氧、氢的金属塔，设备成本低廉且不易发生故障。

公开(公告)号：CN107075718A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580049307.3

申请日：2015-09-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 增田直树 ,  浦野雅彦

IPC: C30B15/22

CPC classification number: C30B15/28 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明提供一种半导体单晶提拉装置，其具备：对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线，所述半导体单晶提拉装置的特征在于，单晶提拉装置具备：再熔融检出装置，其在用绳线使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并再熔融时，根据半导体单晶的重量变化，来检出半导体单晶的下端部的再熔融已经完成；以及，最下端检出装置，其通过在坩埚与绳线之间施加电压，来一边在半导体单晶与熔融液之间施加电压一边用绳线卷绕提起半导体单晶时，根据半导体单晶与熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出半导体单晶的最下端。由此，在半导体单晶的再熔融中，为了判断浸没的结晶的熔融的完成，不需要通过目视来确认，能够进行有效的再熔融。