公开(公告)号：CN101661892A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910168126.9

申请日：2009-08-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 斋藤清 ,  梅谷祐二 ,  吉见英章

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种树脂密封型半导体装置及其制造方法。根据本发明能制造一种防止产生基于由冲孔而形成的引线框(107)的引线毛刺(112)的树脂泄漏部(105)且可靠性高的树脂密封型半导体装置。根据本发明的树脂密封型半导体装置的制造方法，包括：将半导体芯片(9)芯片接合于引线框(1)上的岛(11)的工序；将上述半导体芯片(9)和上述引线框(1)电连接的工序；对芯片接合有上述半导体芯片(9)的上述引线框(1)进行树脂密封的工序，在该树脂密封工序的作业前，对在上述引线框(1)的树脂密封工序中由模具夹紧的区域施加比在该树脂密封工序中的夹紧压力大的按压力。

公开(公告)号：CN101640178A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910163614.0

申请日：2009-07-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 境春彦

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。

公开(公告)号：CN101635802A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910140234.5

申请日：2009-07-09

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 平正明

IPC: H04N5/44

CPC classification number: H04B1/26 ,  H03D7/18

Abstract: 本发明提供一种接收装置。其中该接收装置具有：输出具有作为接收信号及第一局部振荡信号的频率差的第一频率且相位大致相互正交的第一及第二混频信号的第一混频部；输出具有第二频率且具有与所述第一及第二混频信号的相位差相对应的相位差的第二及第三局部振荡信号的相位控制部；和将对所述第一混频信号及所述第二局部振荡信号进行混频后的信号与对所述第二混频信号及所述第三局部振荡信号进行混频后的信号进行相加，输出具有作为所述第一及第二频率之差的中间频率的中频信号的第二混频部。因此，无需按照每台接收装置事先进行调整，也能防止混信并接收具有所期望的频率的信号。

公开(公告)号：CN101604660A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910140669.X

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  土屋尚文 ,  铃木彰 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L27/102 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/0814 ,  H01L2924/10155

Abstract: 本发明的目的在于谋求高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，通过使用廉价的材料来解决现有的因相当于PN接合部PNJC的位置的台沟内壁11的第2绝缘膜10的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的台型半导体装置，以在台沟5内壁形成由热氧化膜6所构成的稳定的保护膜来被覆保护PN接合部PNJC，并且在台沟5内的氧化膜6所夹的空隙填埋具有负电荷的绝缘膜7以使N－型半导体层2的与热氧化膜6的界面不易形成电子蓄积层。通过采用上述构成，减低热氧化膜6中的正电荷所造成的影响，而确保空乏层往与热氧化层6的界面的N－型半导体层的扩展。

公开(公告)号：CN101577276A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910132741.4

申请日：2009-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 矢岛学

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7808 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。现有的保护二极管为由直径不同的多个pn结形成同心圆状的一个圆形，以与栅极焊盘电极大致相同的大小配置在其下方。作为提高MOSFET的ESD容量的方法，公知有增加构成保护二极管的pn结的总面积的方法，但在增加形成同心圆状的多个pn结的结面积的局部或全部时，存在保护二极管在芯片上的占有面积增加的问题。在该绝缘栅型半导体装置中，将多个保护二极管设为并联连接的保护二极管组，并将保护二极管组的总计结面积平均值设为能确保所希望的静电放电容量的值。通过使总计结面积平均值与现有结构的结面积平均值相等，能维持与现有技术相同的ESD容量，并可减少保护二极管组在芯片上的占有面积。

公开(公告)号：CN101546988A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910126233.5

申请日：2009-03-09

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小野寺荣男

IPC: H03H7/06 ,  H03F1/26 ,  H01G4/40 ,  H01L29/94 ,  H01L29/92

CPC classification number: H03H7/0107 ,  H03F3/187 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/114 ,  H03F2200/171 ,  H03F2200/372

Abstract: 本发明提供一种噪声滤波器以及噪声滤波器内置放大器电路，其根据第1电容、和将pn结电容和绝缘电容并联连接的第2电容构成梯形的LPF，所述第1电容由将3端子中的2端子进行二极管连接的晶体管构成。由于使在半导体层设置的pn结电容和在其表面设置的绝缘电容大致重叠来并联连接，所以即使增加电容值也能够避免占有面积的增加。此外，由于第1电容具有迅速返回特性，所以可以从ESD保护具有绝缘电容的第2电容，小型且具有高性能的RFI除去特性，可实现高EDS化。

公开(公告)号：CN101540617A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810173696.2

申请日：2008-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小渕雅宏 ,  新籾雅士 ,  小田岛彻

IPC: H04B1/04 ,  H04H20/48

Abstract: 提供一种能够对被输入的声音信号的处理进行设定的、安装面积较小的声音信号处理电路。该声音信号处理电路的特征在于，具备：保持电路，其被输入时钟信号以及与时钟信号相应的设定数据，并保持设定数据；处理电路，其对并列输入的第一声音信号和第二声音信号实施基于保持电路的设定数据的处理；以及设定数据输出电路，其根据与时钟信号相应的第一声音信号，将时钟信号输出到保持电路，并且根据与设定数据相应的第二声音信号，将设定数据输出到保持电路。

公开(公告)号：CN100544175C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710167829.0

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 赖俊树 ,  吉川定男

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073 ,  G11C5/145

Abstract: 本发明的目的在于，解决因残留电荷使得构成电荷泵电路的元件(电容元件或电荷传输元件)发生劣化的问题和因残留电荷引起的误动作的问题。使栅极与漏极短路的N沟道型电荷传输MOS晶体管(To～TM)串联连接在输入端子(IN)与输出端子(OUT)之间。各电荷传输MOS晶体管的连接点(节点A～X)与电容元件(C1～CM)的一方端子连接。而且，节点(A～X)经由栅极与源极短路的N沟道型MOS晶体管(N1～NM)与降压电路(30)连接。即，在使电荷泵电路的升压动作结束之际，形成了用于使残留电荷从节点(A～X)向外部有效逃逸的路径。

公开(公告)号：CN101527296A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910118577.1

申请日：2009-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松田克志

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种集成电路及其制造方法，当在配线层之上堆积层间绝缘膜的集成电路中实施热处理时，在配线间狭窄的间隙部和与其相连的开口部的连接部分，难以产生形成于层间绝缘膜的空洞的破裂。将位于间隙部(10)和开口部(12)的连接部分的配线(4b)的角部倒角，使间隙部(10)的端部(62)形成朝向开口部(12)末端变宽的形状。这样，在构图了的配线层之上堆积层间绝缘膜。通过设置端部(62)，对于层间绝缘膜的堆积，可缓和间隙部(10)和开口部(12)的连接部分的不连续性。由此，形成于间隙部(10)的空洞的端部难以被层间绝缘膜密封，从而能够抑制伴随热处理中的空洞的气压上升导致的层间绝缘膜的破裂。

公开(公告)号：CN101471335A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810161260.1

申请日：2008-09-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋电机民用电子株式会社

Inventor： 森晴彦 ,  草部隆也 ,  本池达也

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/075 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L24/97 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/021 ,  H05K1/056 ,  H05K1/182 ,  H05K1/189 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/44 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可确保高散热性，且可内设于各种形状的机组的发光模块及其制造方法。发光模块(10)主要具备有：金属基板(12)；绝缘层(24)，被覆于金属基板(12)的上面；导电图案(14)，形成于绝缘层(24)的上面；以及发光元件，固着于金属基板(12)的上面，并与导电图案(14)电性连接。并且，通过在金属基板(12)设置沟且予以弯曲加工而设置有弯曲部(13)。