公开(公告)号：CN101540617A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810173696.2

申请日：2008-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小渕雅宏 ,  新籾雅士 ,  小田岛彻

IPC: H04B1/04 ,  H04H20/48

Abstract: 提供一种能够对被输入的声音信号的处理进行设定的、安装面积较小的声音信号处理电路。该声音信号处理电路的特征在于，具备：保持电路，其被输入时钟信号以及与时钟信号相应的设定数据，并保持设定数据；处理电路，其对并列输入的第一声音信号和第二声音信号实施基于保持电路的设定数据的处理；以及设定数据输出电路，其根据与时钟信号相应的第一声音信号，将时钟信号输出到保持电路，并且根据与设定数据相应的第二声音信号，将设定数据输出到保持电路。

公开(公告)号：CN1828774A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610009499.8

申请日：2006-02-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小渕雅宏

IPC: G11C17/14 ,  G11C17/04

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，可实现OTP存储器单元的小型化和制造工艺、成本的大幅的节约。在OTP存储器的单元晶体管的漏区D内形成成为电容器的下部电极的嵌入层(8)(BN+)，在该嵌入层(8)上形成可通过从数据线(DL)施加的规定的电压而绝缘破坏的膜厚薄的电容器绝缘膜(7a、7b)，在该电容器绝缘膜(7a、7b)上、场氧化膜(2)上形成成为电容器的上部电极的导电层(10)。此外，使嵌入层(8)(BN+)与高浓度的漏区(13)(N+)一部分重叠。

公开(公告)号：CN1828774B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610009499.8

申请日：2006-02-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小渕雅宏

IPC: G11C17/14 ,  G11C17/04

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，可实现OTP存储器单元的小型化和制造工艺、成本的大幅的节约。在OTP存储器的单元晶体管的漏区D内形成成为电容器的下部电极的嵌入层(8)(BN+)，在该嵌入层(8)上形成可通过从数据线(DL)施加的规定的电压而绝缘破坏的膜厚薄的电容器绝缘膜(7a、7b)，在该电容器绝缘膜(7a、7b)上、场氧化膜(2)上形成成为电容器的上部电极的导电层(10)。此外，使嵌入层(8)(BN+)与高浓度的漏区(13)(N+)一部分重叠。