公开(公告)号：CN101174789A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710167829.0

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 赖俊树 ,  吉川定男

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073 ,  G11C5/145

Abstract: 本发明的目的在于，解决因残留电荷使得构成电荷泵电路的元件(电容元件或电荷传输元件)发生劣化的问题和因残留电荷引起的误动作的问题。使栅极与漏极短路的N沟道型电荷传输MOS晶体管(To～TM)串联连接在输入端子(IN)与输出端子(OUT)之间。各电荷传输MOS晶体管的连接点(节点A～X)与电容元件(C1～CM)的一方端子连接。而且，节点(A～X)经由栅极与源极短路的N沟道型MOS晶体管(N1～NM)与降压电路(30)连接。即，在使电荷泵电路的升压动作结束之际，形成了用于使残留电荷从节点(A～X)向外部有效逃逸的路径。

公开(公告)号：CN100544175C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710167829.0

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 赖俊树 ,  吉川定男

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073 ,  G11C5/145

Abstract: 本发明的目的在于，解决因残留电荷使得构成电荷泵电路的元件(电容元件或电荷传输元件)发生劣化的问题和因残留电荷引起的误动作的问题。使栅极与漏极短路的N沟道型电荷传输MOS晶体管(To～TM)串联连接在输入端子(IN)与输出端子(OUT)之间。各电荷传输MOS晶体管的连接点(节点A～X)与电容元件(C1～CM)的一方端子连接。而且，节点(A～X)经由栅极与源极短路的N沟道型MOS晶体管(N1～NM)与降压电路(30)连接。即，在使电荷泵电路的升压动作结束之际，形成了用于使残留电荷从节点(A～X)向外部有效逃逸的路径。

公开(公告)号：CN1783330A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510116445.7

申请日：2005-10-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 赖俊树 ,  吉川定男

IPC: G11C7/10 ,  G06F12/00

CPC classification number: G11C7/1078 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/24 ,  G11C2207/107

Abstract: 本发明提供一种适用与原来相同的封装、根据需要可以进行数据的并行传输的存储元件。该存储元件具备：将串行数据变换为并行数据的串-并变换部(42)；将并行数据变换为串行数据的并-串变换部(44)；和变更并行数据位宽度的并-并变换部(46)；在进行利用串行接口的存取时，可由：分别将1个外部端子连接串-并变换部(42)及并-串变换部(44)，在进行利用并行接口的存取时，将多个外部端子连接并-并变换部(46)。

公开(公告)号：CN1783330B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510116445.7

申请日：2005-10-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 赖俊树 ,  吉川定男

IPC: G11C7/10 ,  G06F12/00

CPC classification number: G11C7/1078 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/24 ,  G11C2207/107

Abstract: 本发明提供一种适用与原来相同的封装、根据需要可以进行数据的并行传输的存储元件。该存储元件具备：将串行数据变换为并行数据的串-并变换部(42)；将并行数据变换为串行数据的并-串变换部(44)；和变更并行数据位宽度的并-并变换部(46)；在进行利用串行接口的存取时，可由：分别将1个外部端子连接串-并变换部(42)及并-串变换部(44)，在进行利用并行接口的存取时，将多个外部端子连接并-并变换部(46)。