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公开(公告)号：CN115762956A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211390203.7
申请日：2022-11-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs；所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。本发明太赫兹波发射器，利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下，其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化，该自旋流从铁磁层注入反铁磁层，通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转；由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺，该电荷流在两个相邻的亚晶格上正好可以叠加而实现太赫兹波信号的发射。
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公开(公告)号：CN115702465A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180040524.1
申请日：2021-06-18
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
摘要： 一种方法(100)包括：执行将磁性膏沉积(106)到层压件的第一侧上和开口中的印刷工艺；固化(108)磁性膏以形成具有沿着第一侧的第一部分和填充层压件的开口的第二部分的第一变压器磁芯件；将第二变压器磁芯件接合(118,120,122)到第一变压器磁芯件的第二部分的侧面以形成变压器。一种变压器包括：层压件；第一磁芯件；以及第二磁芯件，该第一磁芯件包括：固化的磁性膏，沿着层压件的侧面的第一部分，以及填充层压件的开口的第二部分，该第二磁芯件沿着第一变压器磁芯件的第二部分的侧面延伸，并且层压件具有环绕开口的绕组。
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公开(公告)号：CN115223771A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210925985.3
申请日：2018-02-27
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01F10/30 , H01F10/32 , H01F41/14 , H01F41/18 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN115171996A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210771227.0
申请日：2022-06-30
申请人： 成都海威华芯科技有限公司
发明人： 张珂
摘要： 本发明涉及稀磁半导体薄膜领域，具体涉及一种含氮稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:I薄膜材料的制备方法。该薄膜材料中Cr原子的含量为10％，通过掺杂碘元素与氮元素，可以使得载流子浓度达到1019cm‑3。另外，掺杂N后增加了Cr原子间的结合能，使得Cr原子间因斥力作用，在薄膜中均匀分布，此外通过低温退火的处理方式可以进一步降低Cr在薄膜中的亚稳态分解几率。使用此技术获得的氮稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:I薄膜同时具备铁磁特性和半导体特性，铁磁性的居里转移温度可达到室温300K。
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公开(公告)号：CN115132490A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111213454.3
申请日：2021-10-19
申请人： VIAVI科技有限公司
发明人： M·R·维茨曼
摘要： 本公开内容涉及使粘合剂层内的磁性薄片定向。沉积装置可以在基底上沉积粘合剂层，该粘合剂层包括第一组磁性薄片和第二组磁性薄片，并且当粘合剂层的温度满足温度阈值(例如，第一组磁性薄片的居里温度)时，沉积装置可以使磁场施加至粘合剂层，以使第一组磁性薄片和第二组磁性薄片根据磁场定向。当粘合剂层的温度不再满足温度阈值时，沉积装置可以使另一磁场施加至粘合剂层，以仅使第二组磁性薄片根据该另一磁场定向。
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公开(公告)号：CN113421733B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN111261364B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201811465047.X
申请日：2018-12-03
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明公开了一种柔性磁薄膜的制备方法。将液态金属、磁粉和溶剂混合，超声处理，获得液态金属颗粒与磁性颗粒的悬浊液；将悬浊液平铺在柔性衬底材料上，同时施加外磁场控制磁性颗粒取向；待溶剂挥发，得到柔性磁薄膜。当在该柔性薄膜表面沿着一定轨迹施加外力作用，使液态金属相互连通而形成导电通路，可得到柔性磁性导电薄膜。该方法简单易行，使用完毕的柔性磁薄膜可实现回收再利用，从而减少电子垃圾的产生。
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公开(公告)号：CN113314293A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110216765.9
申请日：2021-02-26
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明涉及电感器部件。电感器部件(10)具备：第一磁性层(21)；电感器布线(30)，其层叠在第一磁性层(21)的主面；第二磁性层(22)，其配置在与电感器布线(30)相同的层内；第三磁性层(23)，其配置在电感器布线(30)和第二磁性层(22)的与第一磁性层(21)相反侧的主面；以及非磁性材料的绝缘层(80)，其与电感器布线(30)的表面的一部分接触。电感器布线(30)的表面中的第一磁性层(21)侧的面的整体与第一磁性层(21)接触，电感器布线(30)的表面中的第二磁性层(22)侧的面与绝缘层(80)接触。
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公开(公告)号：CN112153884A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011124985.0
申请日：2020-10-20
申请人： 北华大学
摘要： 本发明涉及一种基于农林剩余物纤维的电磁屏蔽复合板及其制造方法，属于复合人造板技术领域。本发明主要采用多功能层结构设计，以农林剩余物纤维原料制备的纤维板为基材，以农林剩余物纤维驱动的碳化纤维层为导电层，加大反射作用；以碳化纤维复合高磁导率的锌铁氧体为高磁导率层，加大涡流效应，制造工艺简单、制造成本低、电磁屏蔽功能稳定。
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公开(公告)号：CN110797454B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911073937.0
申请日：2019-11-06
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
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