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公开(公告)号：CN109937475A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780014410.3
申请日：2017-10-16
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要： TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
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公开(公告)号：CN108695064A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810294183.0
申请日：2018-03-30
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于，该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示的氧氮化物构成的主组成，所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上，所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上，构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶，所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。
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公开(公告)号：CN116568121A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310765444.3
申请日：2017-10-16
申请人： TDK株式会社
摘要： TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
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公开(公告)号：CN104576915B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410564550.6
申请日：2014-10-21
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01L41/0805 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , G01L1/16 , G01L9/008 , H01L41/0973 , H01L41/1873 , H01L41/316
摘要： 本发明提供了一种压电元件，其通过具备由通式ABO3表示的钙钛矿型化合物即铌酸钾钠的结晶组织的结晶取向是以其厚度方向为第1旋转对称轴而作为压电体层整体为面内四重对称的铌酸钾钠薄膜作为压电体层，从而增大压电元件的致动器的位移量或者作为传感器的灵敏度，并且能够降低耗电。
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公开(公告)号：CN101916858A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010234823.2
申请日：2007-08-17
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/1391 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/485 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/582 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y10T29/49115 , Y10T428/265
摘要： 本发明提供了一种具有足够的循环特性的活性物质及其制造方法。在本发明的活性物质制造方法中，通过将含有金属氟络合物的水溶液与金属氧化物相接触，而在金属氧化物的表面形成表面改性层(2)。并且，本发明的活性物质(5)包括金属氧化物制的核心部(1)和覆盖核心部(1)的表面改性层(2)。表面改性层(2)，由含有核心部(1)含有的金属以及核心部不含有的金属的氧化物制成。
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公开(公告)号：CN1380855A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN01801244.2
申请日：2001-05-11
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
摘要： 一种光记录媒体,其中:具有以Sb作为主成分的相变型记录层,该记录层结晶化时,结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体,且基本上不包含除基本上由Sb构的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度,并且记录层的热稳定性良好。
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公开(公告)号：CN104641481B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380048271.8
申请日：2013-08-30
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/316
CPC分类号： H01L41/04 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
摘要： 本发明所涉及的薄膜压电元件包括具有60nm以上且90nm以下的平均晶粒直径的铌酸钾钠基压电薄膜、以及配置成将该压电薄膜保持于其间的一对电极膜。
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公开(公告)号：CN101083166B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610064455.5
申请日：2006-09-30
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
摘要： 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织，同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织，所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生，所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1938798B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200580009850.7
申请日：2005-03-28
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： C22C38/005 , B32B15/01 , H01F7/0221 , H01F41/026 , Y10T428/32
摘要： 本发明的目的在于提供一种具有十分优异的耐腐蚀性的稀土类磁体。解决上述课题的本发明的稀土类磁体(1)，包括：含有稀土类元素的磁体坯体(10)、在该磁体坯体(10)的表面上形成的实质的非晶层(20)和在该非晶层(20)的表面上形成的保护层(30)，非晶层(20)含有与磁体坯体(10)中含有的磁体材料主要成分元素相同材料。
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公开(公告)号：CN1938798A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009850.7
申请日：2005-03-28
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： C22C38/005 , B32B15/01 , H01F7/0221 , H01F41/026 , Y10T428/32
摘要： 本发明的目的在于提供一种具有十分优异的耐腐蚀性的稀土类磁体。解决上述课题的本发明的稀土类磁体(1)，包括：含有稀土类元素的磁体坯体(10)、在该磁体坯体(10)的表面上形成的实质的非晶层(20)和在该非晶层(20)的表面上形成的保护层(30)，非晶层(20)含有与磁体坯体(10)中含有的磁体材料主要成分元素相同材料。
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