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公开(公告)号：CN101789487B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910246862.1
申请日：2009-10-21
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/083 , G11B5/55
CPC分类号： G11B5/4826 , G11B5/4833 , G11B5/4873 , G11B5/5552 , H01L41/0986 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319 , Y10T29/42
摘要： 本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第二电极膜与支撑膜相对并由粘合膜粘合层叠体(L)和层叠体(M)形成由层叠体(L)、粘合膜和层叠体(M)构成的层叠体(P)的工序、从层叠体(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后将层叠体(P)加工为期望形状的工序、加工层叠体(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的杨氏模量比压电体膜的低，第二电极膜和支撑膜的杨氏模量均比粘合膜的高，层叠体(P)除上述压电体膜外无其他压电体膜。
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公开(公告)号：CN104641481B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380048271.8
申请日：2013-08-30
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/316
CPC分类号： H01L41/04 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
摘要： 本发明所涉及的薄膜压电元件包括具有60nm以上且90nm以下的平均晶粒直径的铌酸钾钠基压电薄膜、以及配置成将该压电薄膜保持于其间的一对电极膜。
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公开(公告)号：CN104395087A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380033316.4
申请日：2013-07-25
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： B41J2/14 , G11B5/48 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/113
CPC分类号： H01L41/0478 , B41J2/14233 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H01L41/316
摘要： 根据本发明的压电器件(100)设置有第一电极膜(5)、设置在第一电极膜(5)上的第一非金属导电性中间膜(4)、设置在第一非金属导电性中间膜(4)上的压电膜(3)、设置在压电膜(3)上的第二非金属导电性中间膜(2)、以及设置在第二非金属导电性中间膜(2)上的第二电极膜(1)。第一非金属导电性中间膜(4)的线性膨胀系数大于第一电极膜(5)和压电膜(3)的线性膨胀系数，并且第二非金属导电性中间膜(2)的线性膨胀系数大于第二电极膜(1)和压电膜(3)的线性膨胀系数。
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公开(公告)号：CN101853917B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910258044.3
申请日：2009-12-16
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/332 , H01L41/313
摘要： 本发明的压电元件的制造方法包括：生长工序，使PZT膜外延生长于第1电极膜上；和加工工序，在生长工序之后，使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状，蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸，其中，在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度作为CHCl以及CHNO3的情况下，CHCl+3.3CHNO3为1wt％以上且10wt％以下，并且，所述蚀刻液还含有氟化铵和氟化氢中的至少一种氟化合物，其中，相对于蚀刻液的重量，来自于氟化铵以及氟化氢的氟的重量浓度为0.1wt％以上且1wt％以下。
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公开(公告)号：CN104603966B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380045724.1
申请日：2013-08-30
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/08 , H01L41/316
CPC分类号： H01L41/18 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
摘要： 本发明涉及一种薄膜压电元件(100)，其包括一对电极层(12，5)和夹在该对电极层之间的压电薄膜(3)，其中该压电薄膜包含稀有气体元素并且在压电薄膜的厚度方向上具有稀有气体元素的含量的梯度。
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公开(公告)号：CN104364924A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380029622.0
申请日：2013-05-14
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/08
CPC分类号： H01L41/0815 , H01L41/0477
摘要： 一种压电器件(100A～100D)，具有第一电极膜(4)、设置在第一电极膜上的压电膜(3)、以及设置在压电膜上的第二电极膜(8)。一对电极膜中的至少一者由合金构成，并且合金的主成分是选自Ti、Al、Mg和Zn中的金属。
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公开(公告)号：CN104364923A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380029575.X
申请日：2013-05-14
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/08
CPC分类号： H01L41/0815 , H01L41/0477
摘要： 一种电介质器件(100A～100D)，具有非取向或非晶结构的第一电极膜(4)、设置在第一电极膜上并具有择优取向结构的电介质膜(3)、以及设置在电介质膜上并具有非取向或非晶结构第二电极膜(8)。
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公开(公告)号：CN101853917A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910258044.3
申请日：2009-12-16
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/332 , H01L41/313
摘要： 本发明的压电元件的制造方法包括：生长工序，使PZT膜外延生长于第1电极膜上；和加工工序，在生长工序之后，使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状，蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸，其中，在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度作为CHCl以及CHNO3的情况下，CHCl+3.3CHNO3为1wt％以上且10wt％以下，并且，所述蚀刻液还含有氟化铵和氟化氢中的至少一种氟化合物，其中，相对于蚀刻液的重量，来自于氟化铵以及氟化氢的氟的重量浓度为0.1wt％以上且1wt％以下。
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公开(公告)号：CN104395087B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380033316.4
申请日：2013-07-25
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： B41J2/14 , G11B5/48 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/113
CPC分类号： H01L41/0478 , B41J2/14233 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H01L41/316
摘要： 根据本发明的压电器件(100)设置有第一电极膜(5)、设置在第一电极膜(5)上的第一非金属导电性中间膜(4)、设置在第一非金属导电性中间膜(4)上的压电膜(3)、设置在压电膜(3)上的第二非金属导电性中间膜(2)、以及设置在第二非金属导电性中间膜(2)上的第二电极膜(1)。第一非金属导电性中间膜(4)的线性膨胀系数大于第一电极膜(5)和压电膜(3)的线性膨胀系数，并且第二非金属导电性中间膜(2)的线性膨胀系数大于第二电极膜(1)和压电膜(3)的线性膨胀系数。
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公开(公告)号：CN104603966A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045724.1
申请日：2013-08-30
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/08 , H01L41/316
CPC分类号： H01L41/18 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
摘要： 本发明涉及一种薄膜压电元件(100)，其包括一对电极层(12，5)和夹在该对电极层之间的压电薄膜(3)，其中该压电薄膜包含稀有气体元素并且在压电薄膜的厚度方向上具有稀有气体元素的含量的梯度。
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