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公开(公告)号：CN101083166B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610064455.5
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织，同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织，所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生，所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1754011A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005433.0
申请日：2004-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D7/001 , C25D3/12 , C25D5/14 , H01F41/026
Abstract: 提供耐蚀性优良的稀土类磁铁的制造方法及用于该方法的电镀液。在含稀土类元素的磁铁基体上，依次层叠含镍的第1保护膜和含镍及硫的第2保护膜。第1保护膜使用包含镍源、导电性盐、pH稳定剂、镍源的镍原子单位浓度为0.3mol/l～0.7mol/l、电导率在80mS/cm以上的第1电镀液进行电镀而形成。因而，可以抑制稀土富集相的洗脱，减少针孔的生成，并且因此提高耐蚀性。
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公开(公告)号：CN1799111A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015078.5
申请日：2004-06-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种R－T－B系永磁体(1)，其具有磁体基体(2)和包覆在磁体基体(2)表面上的保护膜(3)，所述磁体基体(2)由至少含有主相和晶界相的烧结体构成，而且在其表层部形成有富氢层(21)，该富氢层(21)中氢浓度达300ppm或以上的厚度为300μm或以下(不含0μm)，其中所述主相由R2T14B晶粒(其中，R为稀土类元素的1种、2种或更多种，T为以Fe或者Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种的过渡金属元素)构成，所述晶界相比该主相含有更多的R。根据该R－T－B系永磁体(1)，其不使磁特性退化而能够使形成有保护膜(3)的R－T－B系永磁体(1)的耐蚀性得以提高。另外，对采用电镀方法进行的保护膜(3)的形成也可能适用，且生产效率几乎不会降低，能够充分确保作为形成保护膜(3)的本来目的的耐蚀性。再者，能够提供表面部分的局部损坏(颗粒脱落)受到抑制、尺寸精度较高的R－T－B系永磁体(1)。
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公开(公告)号：CN100573752C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510134110.8
申请日：2005-12-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种R-T-B系永磁铁，其具有容易适用于实际的R-T-B系永磁铁的制造、且可以有效地确保硬度的镀膜。本发明通过R-T-B系永磁铁(1)解决上述问题，该R-T-B系永磁铁具有由烧结体构成的磁铁基材(2)和覆盖磁铁基材表面的镀膜(3)，所述烧结体至少包含由R2T14B化合物构成的主相晶粒和比前述主相晶粒含有更多的R的晶界相，在镀膜(3)中，将C含量以wt%为单位记作Cc时，0.005＜Cc≤0.2wt%。在本发明中，镀膜(3)的C含量优选为0.006≤Cc≤0.18wt%。另外，作为镀膜(3)，可以含有电解Ni镀膜。另外，R表示含有Y的稀土类元素中的1种、2种或更多种，T表示以Fe或以Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种过渡金属元素。
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公开(公告)号：CN1768464A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480009015.9
申请日：2004-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H02K1/17
CPC classification number: H02K1/04 , H02K1/17 , H02K41/0358
Abstract: 本发明涉及音圈电动机(VCM)用永久磁体构件(10)，具备：磁体素体(1)和覆盖在该磁体素体表面上的耐腐蚀覆盖膜(Ni镀膜(2))，磁体素体(1)具有短周边(11)、与此短周边以规定的间隔隔开的长周边(12)、连接短周边(11)和长周边(12)的一对侧周边(13、14)，而且具有扇形的平面形状。在这样的VCM用永久磁体构件(10)中，其厚度的最大值与最小值之差为10～150μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1898756B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580000402.0
申请日：2005-07-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/0221 , B32B15/011 , H01F41/026 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/32
Abstract: 提供具有优异的耐腐蚀性的稀土类磁铁。具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状，例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化，能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性，能够减少针孔数。
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公开(公告)号：CN100355184C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200480009015.9
申请日：2004-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H02K1/17
CPC classification number: H02K1/04 , H02K1/17 , H02K41/0358
Abstract: 本发明涉及音圈电动机(VCM)用永久磁体构件(10)，具备：磁体素体(1)和覆盖在该磁体素体表面上的耐腐蚀覆盖膜(Ni镀膜(2))，磁体素体(1)具有短周边(11)、与此短周边以规定的间隔隔开的长周边(12)、连接短周边(11)和长周边(12)的一对侧周边(13、14)，而且具有扇形的平面形状。在这样的VCM用永久磁体构件(10)中，其厚度的最大值与最小值之差为10～150μm。
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公开(公告)号：CN101083166A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610064455.5
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F7/02
CPC classification number: C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织，同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织，所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生，所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1898756A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580000402.0
申请日：2005-07-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/0221 , B32B15/011 , H01F41/026 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/32
Abstract: 提供具有优异的耐腐蚀性的稀土类磁铁。具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状，例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化，能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性，能够减少针孔数。
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公开(公告)号：CN1794375A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510134110.8
申请日：2005-12-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种R－T－B系永磁铁，其具有容易适用于实际的R－T－B系永磁铁的制造、且可以有效地确保硬度的镀膜。本发明通过R－T－B系永磁铁(1)解决上述问题，该R－T－B系永磁铁具有由烧结体构成的磁铁基材(2)和覆盖磁铁基材表面的镀膜(3)，所述烧结体至少包含由R2T14B化合物构成的主相晶粒和比前述主相晶粒含有更多的R的晶界相，在镀膜(3)中，将C含量以wt％为单位记作Cc时，0.005＜Cc≤0.2wt％。在本发明中，镀膜(3)的C含量优选为0.006≤Cc≤0.18wt％。另外，作为镀膜(3)，可以含有电解Ni镀膜。另外，R表示含有Y的稀土类元素中的1种、2种或更多种，T表示以Fe或以Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种过渡金属元素。
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