公开(公告)号：CN1734607A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510084366.2

申请日：2005-07-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 新开浩 ,  千原宏 ,  平田秀树 ,  三浦荣明

IPC: G11B7/24 ,  C22C12/00

Abstract: 一种光记录介质，其包括具有记录膜的信息层。所述记录膜包含作为主要成分的79原子％至95原子％的Sb和5原子％至21原子％的Ge，并且由不包含周期表第十六族中的元素的相变材料形成。

公开(公告)号：CN101442849B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810213978.0

申请日：2008-09-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 稻叶和久 ,  安田德行 ,  千原宏

IPC: H05B33/28

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种即使在高湿条件下长时间使用，电阻值的上升也小的透明导电体。本发明的优选实施方式的透明导电体含有铟锡氧化物、以氧化锌为主要成分的添加成分、以及粘合树脂，铟锡氧化物和添加成分的总量中，含有0.1～50质量％的添加成分。

公开(公告)号：CN108475580B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201780006873.5

申请日：2017-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山崎久美子 ,  千原宏 ,  永峰佑起 ,  山崎纯一

IPC: H01G4/33 ,  C04B35/50 ,  H01B3/00 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供介电损失tanδ小的多晶介电体薄膜及电容元件。是主要组成为钙钛矿型氮氧化物的多晶介电体薄膜。钙钛矿型氮氧化物以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示，a/b＞1且n≥0.7。

公开(公告)号：CN108603276B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201780006900.9

申请日：2017-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山崎久美子 ,  千原宏 ,  永峰佑起 ,  山崎纯一 ,  梅田裕二

IPC: C23C14/06 ,  H01B3/00 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn(a1+b1+o+n＝5)表示，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。

公开(公告)号：CN104576915B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410564550.6

申请日：2014-10-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 会田康弘 ,  太田龙 ,  田中美知 ,  千原宏 ,  佐久间仁志 ,  前岛和彦

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/0805 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  G01L1/16 ,  G01L9/008 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供了一种压电元件，其通过具备由通式ABO3表示的钙钛矿型化合物即铌酸钾钠的结晶组织的结晶取向是以其厚度方向为第1旋转对称轴而作为压电体层整体为面内四重对称的铌酸钾钠薄膜作为压电体层，从而增大压电元件的致动器的位移量或者作为传感器的灵敏度，并且能够降低耗电。

公开(公告)号：CN101916858A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010234823.2

申请日：2007-08-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木长 ,  栗原雅人 ,  田中美知 ,  千原宏 ,  藤川佳则

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/1391 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/485 ,  H01M4/366 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/582 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  Y10T29/49115 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供了一种具有足够的循环特性的活性物质及其制造方法。在本发明的活性物质制造方法中，通过将含有金属氟络合物的水溶液与金属氧化物相接触，而在金属氧化物的表面形成表面改性层(2)。并且，本发明的活性物质(5)包括金属氧化物制的核心部(1)和覆盖核心部(1)的表面改性层(2)。表面改性层(2)，由含有核心部(1)含有的金属以及核心部不含有的金属的氧化物制成。

公开(公告)号：CN101442849A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810213978.0

申请日：2008-09-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 稻叶和久 ,  安田德行 ,  千原宏

IPC: H05B33/28

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种即使在高湿条件下长时间使用，电阻值的上升也小的透明导电体。本发明的优选实施方式的透明导电体含有铟锡氧化物、以氧化锌为主要成分的添加成分、以及粘合树脂，铟锡氧化物和添加成分的总量中，含有0.1～50质量％的添加成分。

公开(公告)号：CN108603276A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780006900.9

申请日：2017-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山崎久美子 ,  千原宏 ,  永峰佑起 ,  山崎纯一 ,  梅田裕二

IPC: C23C14/06 ,  H01B3/00 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn(a1+b1+o+n＝5)表示，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。

公开(公告)号：CN108475580A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006873.5

申请日：2017-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山崎久美子 ,  千原宏 ,  永峰佑起 ,  山崎纯一

IPC: H01G4/33 ,  C04B35/50 ,  H01B3/00 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供介电损失tanδ小的多晶介电体薄膜及电容元件。是主要组成为钙钛矿型氮氧化物的多晶介电体薄膜。钙钛矿型氮氧化物以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示，a/b＞1且n≥0.7。

公开(公告)号：CN104576915A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410564550.6

申请日：2014-10-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 会田康弘 ,  太田龙 ,  田中美知 ,  千原宏 ,  佐久间仁志 ,  前岛和彦

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/0805 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  G01L1/16 ,  G01L9/008 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供了一种压电元件，其通过具备由通式ABO3表示的钙钛矿型化合物即铌酸钾钠的结晶组织的结晶取向是以其厚度方向为第1旋转对称轴而作为压电体层整体为面内四重对称的铌酸钾钠薄膜作为压电体层，从而增大压电元件的致动器的位移量或者作为传感器的灵敏度，并且能够降低耗电。