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公开(公告)号:CN108695064A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810294183.0
申请日:2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。
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公开(公告)号:CN108695062B
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201810292586.1
申请日:2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶电介质薄膜,其中,主成分由通式(M(1)1‑xM(2)x)(M(3)1‑yM(4)y)(O1‑zNz)3所表示的氧氮化物构成。0≦x≦1、0≦y≦1、0<z<1/3。M(1)、M(2)、M(3)及M(4)的形式化合价的总和是14。氧氮化物的晶体结构包含由中心原子、2个4a位原子及4个8h位原子构成的八面体结构。中心原子是M(3)或M(4)。4a位原子是O原子或N原子。8h位原子是O原子或N原子。在八面体结构中,在将连结2个4a位原子的直线和所述晶体结构的c轴方向所成的角设为θ的情况下,0.5°≦θ≦12°。
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公开(公告)号:CN108695064B
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN201810294183.0
申请日:2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。
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公开(公告)号:CN109767915A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201811329269.9
申请日:2018-11-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜,其中,所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成,α大于0且为0.300以下,x+α大于2.450,y为0.300以上且0.700以下,是平行于与钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构,并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构,AO结构与钙钛矿结构结合而进入钙钛矿结构中。
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公开(公告)号:CN108695063B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201810293209.X
申请日:2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/08 , H01G4/33 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种制造效率高、介电特性优异的具有由氧氮化物构成的主组成的电介质薄膜及包含其的电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,而且由柱状的颗粒构成。
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公开(公告)号:CN108695062A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810292586.1
申请日:2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶电介质薄膜,其中,主成分由通式(M(1)1‑xM(2)x)(M(3)1‑yM(4)y)(O1‑zNz)3所表示的氧氮化物构成。0≦x≦1、0≦y≦1、0<z<1/3。M(1)、M(2)、M(3)及M(4)的形式化合价的总和是14。氧氮化物的晶体结构包含由中心原子、2个4a位原子及4个8h位原子构成的八面体结构。中心原子是M(3)或M(4)。4a位原子是O原子或N原子。8h位原子是O原子或N原子。在八面体结构中,在将连结2个4a位原子的直线和所述晶体结构的c轴方向所成的角设为θ的情况下,0.5°≦θ≦12°。
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公开(公告)号:CN109767915B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201811329269.9
申请日:2018-11-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜,其中,所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成,α大于0且为0.300以下,x+α大于2.450,y为0.300以上且0.700以下,是平行于与钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构,并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构,AO结构与钙钛矿结构结合而进入钙钛矿结构中。
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公开(公告)号:CN108695063A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810293209.X
申请日:2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/08 , H01G4/33 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种制造效率高、介电特性优异的具有由氧氮化物构成的主组成的电介质薄膜及包含其的电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,而且由柱状的颗粒构成。
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