公开(公告)号：CN103383933A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210552090.6

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白志阳 ,  涂国基 ,  江文铨 ,  周仲彦

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101677101B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200910141083.5

申请日：2009-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基 ,  朱惠祺 ,  江国诚

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/13 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有反耦合电容的集成电路，包括一电路模块，其具有耦接至一对电源供应节点之间的多个有源元件；一反耦合电容模块，耦接至上述电路模块，上述反耦合电容模块包括多个金属-绝缘体-金属电容，以串联方式耦接于上述对电源供应节点之间，其中介于上述电源供应节点之间的电压经由上述多个金属-绝缘体-金属电容分压，因而降低施加于上述多个金属-绝缘体-金属电容的电压应力。

公开(公告)号：CN101826560B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910173954.1

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  涂国基 ,  陈椿瑶

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/41 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明提供了一种用于片上系统技术的金属-绝缘体-金属结构，其包括半导体衬底，形成在半导体衬底中的隔离结构，形成在隔离结构之上的导电层，以及形成在隔离结构之上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容。MIM电容为冠形，其包括顶电极、第一底电极和置于顶电极和第一底电极之间的电介质，第一底电极至少延伸到导电层的顶面。

公开(公告)号：CN102456750A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110208233.7

申请日：2011-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于提高电容器容量和兼容性的方法和装置，其包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的隔离结构、设置在隔离结构上方的导电层、设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，该半导体器件还包括将导电层和底部电极电连接的第一接触件，底部电极基本上在至少两面上与第一接触件结合。

公开(公告)号：CN101207019B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710110383.8

申请日：2007-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；形成开口于堆叠绝缘结构中以暴露出第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以大量去除这些第二绝缘层，及小量去除这些第三绝缘层，由此在这些第二绝缘层中沿着开口侧壁形成多个横向凹槽；形成底部电极层，其沿着开口及横向凹槽的侧壁和底部延伸；形成电容绝缘层于底部电极层上；及形成顶部电极层于电容绝缘层上。本发明的优点包括可改善材料层的品质以及减少工艺时间。

公开(公告)号：CN101826560A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910173954.1

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  涂国基 ,  陈椿瑶

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/41 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明提供了一种用于片上系统技术的金属-绝缘体-金属结构，其包括半导体衬底，形成在半导体衬底中的隔离结构，形成在隔离结构之上的导电层，以及形成在隔离结构之上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容。MIM电容为冠形，其包括顶电极、第一底电极和置于顶电极和第一底电极之间的电介质，第一底电极至少延伸到导电层的顶面。

公开(公告)号：CN1612328B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410029531.X

申请日：2004-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明披露了一种埋入式电容器介层窗结构及其制造方法，此埋入式电容器具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，电容介电层、上电极及抗反射层组成埋入式电容器的侧壁，形成一介层窗，此一介层窗暴露出该埋入式电容器的侧壁。

公开(公告)号：CN100461423C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610152330.8

申请日：2006-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基 ,  陈椿瑶 ,  林宜经

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明提供一种存储器元件及其形成方法，其具有高侦测速度与可靠度。所述元件包括：第一介电层及第二介电层依序形成于半导体基板上；电容位于第二介电层中，且具有至少部分填满第三介电层的杯状区域。上述元件可更包括第三介电层及位线依序形成于第二介电层上，且位线电性连接至电容。较佳情况下，该电容的杯状区域包含大尺寸孔洞。本发明所述的存储器元件及其形成方法可改善DRAM元件的可靠度和速度。

公开(公告)号：CN101136364A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710005301.3

申请日：2007-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基 ,  沈载勋 ,  陈椿瑶

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/10873 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的制造方法，包括：提供基板；于该基板内形成凹陷区与非凹陷区，该凹陷区具有位于该凹陷区的对应侧的第一侧与第二侧；于该基板上形成第一晶体管，该第一晶体管沿该凹陷区的第一侧而设置且具有第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区位于该凹陷区内，而该第二源极/漏极区位于该非凹陷区内；以及形成位线与第一存储装置，分别耦接于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区。本发明亦提供了一种动态随机存取存储器的制造方法。本发明可在存储单元尺寸的进一步缩减过程中改善存储单元的数据保存情形。

公开(公告)号：CN100349297C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200410034750.7

申请日：2004-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基 ,  陈椿瑶 ,  伍寿国 ,  王铨中

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/60 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，在至少两个以上的绝缘层上形成多个MIM电容结构图案，绝缘层包含半导体装置的介层及金属化层，在至少两个邻接的MIM电容图案之间的绝缘层顶部形成一凹型区域，当沉积MIM电容结构的上平板材质时，上平板材质将填入邻接的MIM电容图案之间的上绝缘层的凹型区域，形成连接区域，以耦合邻接MIM电容结构的上平板电极，并且在半导体装置的第一金属化层中形成一部分的MIM电容下电极。