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公开(公告)号：CN113363370A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110613538.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层的侧壁涂覆有遮挡层，用于遮挡LED芯片的侧向溢出光；在所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面涂覆有荧光粉；在利用垂直结构LED芯片的出光形貌呈近朗伯分布的优势的同时，通过荧光粉和遮挡层的涂覆可明显提升LED芯片出光的均匀性。
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公开(公告)号：CN113130717A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110397862.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底表面依次堆叠外延叠层、非掺杂层及第二型半导体薄层；同时，在所述第二型半导体薄层的表面设有透明导电层，且所述透明导电层通过沟槽嵌入的方式与所述第二型半导体层形成接触，且所述绝缘层附着于所述通孔侧壁并延伸至所述透明导电层的部分表面。使得当电流从电极注入后，通过所述凹槽均匀扩展至所述第二型半导体层，从而缩小所述透明导电层的中心与边缘所存在的电势差，使得电流能很均匀地分布，避免mini‑LED出现电流拥挤的现象。
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公开(公告)号：CN112635626A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110001937.0
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN112201650A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011094769.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；同时，第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接；第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计，避免电极挡光，使LED芯片的发光面积增大；同时，通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极，有利于电极打线时的精准对位控制。
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公开(公告)号：CN111969087A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010881721.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极层形成电接触；所述第二电极与所述金属电极层形成电接触。即，本申请在所述外延叠层的两个对立表面均可以较好地实现电流的均匀扩展，且使通过第一型半导体层和第二型半导体层注入到有源区的电流为垂直注入，类似垂直结构LED芯片，可以有效改善LED芯片的电流阻塞效应；此外，本申请所提供的LED芯片的结构具备很好的兼容性，可实现透明衬底在不同色系LED芯片的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108417675B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810256911.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN110112274B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910428186.3
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
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公开(公告)号：CN108807265B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810743952.0
申请日：2018-07-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/77
Abstract: 本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法，所述Micro‑LED巨量转移方法，通过将阵列上的LED芯片分为两部分，且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，其中一部分的第一表面与第一转移基板结合，另一部分的第二表面与第二转移基板结合，将第一部分的LED转移至第一转移基板上，第二部分的LED转移至第二转移基板上。即通过将两个表面分别结合至两个转移基板上，然后通过一次分离，使得Micro‑LED实现巨量转移，无需剥离等复杂工艺，且LED芯片为已经制作完成的LED芯片，无需在巨量转移之后再进行芯片工艺，从而相对于现有技术而言，更加简单，而且成本较低。
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公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN107681026B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710874072.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管在外延结构表面通过设置重掺杂第二型电流扩展层、多个电流阻挡层和透明导电层的方式，在透明导电层中形成多个电阻大小相当的电流路径，从而实现了发光二极管的立体电流扩展的目的，提升了发光二极管的电流扩展效果；并且由于所述重掺杂第二型电流扩展层和多个电流阻挡层协助所述透明导电层构成了多个电阻大小相当的电流路径，使得所述透明导电层的厚度无需设置较厚也可以实现较好的电流扩展效果，从而实现了在不吸收过多发光二极管的出射光线的前提下，为发光二极管提供良好的电流扩展效果的目的，进而达到提升发光二极管的量子效率，最终提高发光二极管的出光效率的目的。
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