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公开(公告)号：CN118443277A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521443.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微镜及其阵列的高精度标定测试与驱动方法，包括微镜驱动信号按照设定步长进行扫描，以微镜多个驱动信号所对应的多个扫描角度，得到扫描测试数据表函数；进行函数求逆运算，得到驱动测试数据表函数；利用拟合算法或插值算法进行数据滤波、扩增，生成驱动数据表函数；基于驱动数据表函数，确定期望的扫描角度的相应微镜驱动信号，输入至MEMS微镜，以使其偏转至期望输出的扫描角度。本发明的方法采用“稀疏”的大步长扫描测试、求逆运算、拟合或插值运算的方法获取高精度的驱动数据表函数，并对所获得的驱动数据表函数的精度进行验证，以实现快速、高精度的MEMS微镜及其阵列的标定测试，极大缩短测试时间、大幅度降低标定测试成本。
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公开(公告)号：CN116760313A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310755086.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明提供一种微柱‑孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法，采用了微柱‑孔阵列电极驱动结构，充分利用大面积可动功能部件的背面空间，大幅度提高占空比，微柱‑孔阵列驱动结构密度高、数量多，环绕微柱一周均能产生静电力，静电驱动力密度大，特别适合于驱动平板结构上下平动以及扭转角度适中的扭转运动，从而可提高静电驱动器的力密度、减小芯片面积、降低芯片成本，对推动MEMS静电驱动器的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116395632A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310293572.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明一种MEMS芯片的封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：在MEMS晶圆上键合临时封装盖板，其中MEMS晶圆上包括多个间隔排列的MEMS芯片，临时封装盖板底面设有多个间隔排列的封环微结构使得每一MEMS芯片的上方形成一密封空腔；对MEMS晶圆进行划片以得到多个分别包括一封环微结构的MEMS芯片临时封装结构；将MEMS芯片临时封装结构进行芯片封装；移除MEMS芯片临时封装结构中的封环微结构。本发明的MEMS芯片的封装方法中能够避免传统MEMS芯片封装方法中因MEMS芯片密封光窗的设置造成的光束损耗对器件性能造成的不利影响，提高了MEMS芯片的工作性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116243429A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310309579.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种百皮秒级真时延MEMS光纤延迟线及其阵列，百皮秒级真时延MEMS光纤延迟线由大行程MEMS垂直运动微镜与多反射光纤准直器进行光学准直耦合，通过运动放大杠杆结构的设置，使得大行程MEMS垂直运动微镜的离面运动行程能够达到毫米级、而垂直移动精度可达纳米级，从而突破了现有技术中MEMS垂直运动微镜仅仅只有数十微米行程的局限，并且降低了制备成本；此外，本发明大大提高了光纤延迟线的延迟量、并且使得光纤延迟线变得高精度快速调谐，并在一定程度上实现了光纤延迟线的阵列化，从而能够满足光学相控阵等高端光学系统的应用需求。
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公开(公告)号：CN103086316B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110335464.4
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法，包括：提供具有双层硅器件层的SOI硅结构；在第一衬底层的表面制作第一划片图形；去除第二衬底层；在第二埋层氧化层上制作双层掩膜；利用双层掩膜，制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构；将双抛硅片与SOI硅结构进行硅硅键合；在双抛硅片的表面制作第二划片图形；去除第一衬底层并显露出第一埋层氧化层；以第一埋层氧化层作为掩膜，刻蚀第一硅器件层，释放可动梳齿结构、可动微镜面结构和固定梳齿结构；去除第一埋层氧化层；在微镜面区域和引线区域形成薄膜金属层。相较于现有技术，本发明技术方案能制作出具有自对准高低梳齿结构的垂直梳齿微镜面驱动器，具有制作简单和成品率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104502630A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510010031.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明提供一种单芯片双轴水平光纤加速度传感器及其制备方法，包括：在第一基底上形成两个敏感方向相互正交的、对水平加速度敏感的单轴加速度敏感单元，单轴加速度敏感单元包括微反光镜、弹性梁以及光高反射膜，在第二基底表面形成微反光镜扭转空间；将第一基底与第二基底键合；对双轴加速度敏感芯片和光纤准直器进行光学耦合封装。本发明将两个敏感方向正交的单轴加速度敏感芯片集成在同一衬底上，且光信号的传输在双轴加速度敏感芯片一侧，大大简化了基于MEMS技术的单芯片双轴加速度传感器的封装。
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公开(公告)号：CN102759637A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110106037.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度传感器及其制造方法。根据本发明的MEMS三轴加速度传感器包括支撑框体、弹性梁、敏感质量块、下支撑体、栅型敏感电容和引线电极；其中，敏感质量块通过弹性梁悬于支撑框体之间，支撑框体通过键合与下支撑体连接，敏感质量块与下支撑体之间有间隙，敏感质量块上制作了栅型电容的上电极，下支撑体的内表面上制作栅型电容的下电极组，上电极与下电极组错位排列构成一组栅型电容，该组栅型电容从引线电极输出;其中，该组栅型电容包括第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，第一电容与第二电容、第三电容与第四电容分别构成差分检测电容，所述MEMS三轴加速度传感器通过电容的运算实现三轴加速度量的同时检测。
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公开(公告)号：CN102129125A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110003994.9
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种基于MEMS技术的堆叠式二轴微镜阵列驱动器17由单个堆叠式二轴微镜驱动器16阵列化排布而成。单个堆叠式二轴微镜驱动器16由下电极结构13，中间电极结构14和上电极结构15共三个独立部件构成。其中三个独立部件由以下结构构成：弯曲悬臂梁1、扭转悬臂梁2、扭转悬臂梁3、台阶下电极4、X轴转动方向基底镜面的限位平面5、台阶下电极的引线锚点6、X轴转动方向基底镜面7、X轴转动方向基底镜面的限位凸点8、Y轴转动方向上镜面支撑锚点9Y轴转动方向上镜面10，Y轴转动方向上镜面的限位凸点11、Y轴转动方向上镜面的电极引线锚点12。
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公开(公告)号：CN102103263A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110003989.8
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动器及其在波长选择开关中的应用，其集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动器15由单个集成光栅调制衰减器的微镜驱动器14阵列化排布获得。单个集成光栅调制衰减器的微镜驱动器14由下电极结构11，中间电极结构12和上电极结构13共三个独立结构构成。其三个独立结构又由以下功能部件构成：悬臂梁1、台阶下电极2、台阶下电极引线锚点3、X轴转动方向基底镜面4、X轴转动方向基底镜面的限位凸点5、X轴转动方向基底镜面的限位平面6、Y轴信号衰减方向的可动上镜面7、Y轴信号衰减方向的固定上镜面8、Y轴信号衰减方向的镜面支撑锚点9、Y轴信号衰减方向的镜面支撑锚点10。
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公开(公告)号：CN1912646B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610030766.X
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/02 , G01R33/032 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。
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