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公开(公告)号：CN100564243C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610023325.7
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种低温圆片级微型气体盒的制作方法，其特征在于利用苯并环丁烯材料进行材料键合和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术，在250℃的低温条件下键合，实现芯片级气体盒的圆片级气密性封装键合，包括芯片级原子钟气体盒、高精度磁场传感器气体盒、原子反馈式微光稳频装置的原子气体盒、原子滤光器的原子气体盒或微光学法布里—珀罗腔制作，键合后BCB胶厚度为0.2μm，密z封腔体He气的气密性达2.1～5.9×10-4Pa cm3/s，键合强度大于4.65MPa以及热循环可靠性完全达到微电子器件的封装标准。
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公开(公告)号：CN1844937A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610026521.X
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明涉及一种基于微电子机械系统(Micro－Electronic MechanicSystem，MEMS)的光电检流计、制作及其检测方法，其特征在于采用微机械工艺制作螺旋线圈式MEMS扭转微镜。无需放大电路，将待测的直流或低频微弱电流输入驱动线圈，置于外加永磁铁产生的强磁场中，驱动线圈将受到洛伦兹力产生的力矩作用，驱动微镜偏离初始位置，利用双光纤准直器对角度非常敏感的特性进行检测，根据光信号的损耗量与扭转角度的关系，经过光电转换与信号处理后测量出电流值。这种MEMS光电检流计，输入端无需放大电路，可达到安培至皮安量级电流的直接准确测量，克服了微弱电流信号放大过程中引起的噪声干扰和漂移等技术问题，同时可以实现输入端与输出端的光电隔离，是一种体积小、结构简单、成本低、可以批量生产和抗震性好的高灵敏度光电检流计。
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公开(公告)号：CN1844938A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610026522.4
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/02
Abstract: 本发明是一种基于微电子机械系统的光学电流传感器，其特征在于采用微机械工艺将MEMS金属线圈制作于MEMS扭转微镜上，非磁性骨架结构的Rogowski线圈和MEMS金属线圈将高压交流电信号以感应电流的形式引入到MEMS扭转微镜的线圈中，在MEMS扭转微镜的背面制作反射镜面，镜面将在电磁力矩的作用下绕轴摆动，采用对角度非常敏感的光束耦合方式能够精确测量出镜面摆动角度，就可以获知电流值。这种光学电流传感器将MEMS技术运用到高压大电流检测中，以感应电流驱动，在高压端无需驱动电源，实现了光电隔离，具有体积小、成本低、可批量生产、抗干扰等优点，具有较高的测试精度和灵敏度，是一种具有应用前景的光学电流传感器。
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公开(公告)号：CN1821052A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610023321.9
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1－3×10－5Pa，真空度为10－3Pa；通过BCB键合封装的微机械器件和光电器件封装的气密性，气密性达到2.1～5.9×10－4Pa cm3/s He，优于军用标准一个数量级以上；剪切强度在4.65MPa以上，完全达到了微电子器件的封装标准；本发明提供的封装方法适用于谐振式MEMS器件、微加速度计、微陀螺、微热辐射仪等，可以有效的减小器件的阻尼，提高器件系统的品质因数(Q值)，从而提高传感器件的灵敏度，是微机械器件和微光电器件的有效低温圆片级气密性封装方法。
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公开(公告)号：CN100445195C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610023321.9
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1-3×10-5Pa，真空度为10-3Pa；通过BCB键合封装的微机械器件和光电器件封装的气密性，气密性达到2.1～5.9×10-4Pa cm3/s He，优于军用标准一个数量级以上；剪切强度在4.65MPa以上，完全达到了微电子器件的封装标准；本发明提供的封装方法适用于谐振式MEMS器件、微加速度计、微陀螺、微热辐射仪等，可以有效的减小器件的阻尼，提高器件系统的品质因数(Q值)，从而提高传感器件的灵敏度，是微机械器件和微光电器件的有效低温圆片级气密性封装方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1912646B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610030766.X
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/02 , G01R33/032 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。
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公开(公告)号：CN1844937B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610026521.X
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明涉及一种基于微电子机械系统(Micro-Electronic MechanicSystem，MEMS)的光电检流计、制作及其检测方法，其特征在于采用微机械工艺制作螺旋线圈式MEMS扭转微镜。无需放大电路，将待测的直流或低频微弱电流输入驱动线圈，置于外加永磁铁产生的强磁场中，驱动线圈将受到洛伦兹力产生的力矩作用，驱动微镜偏离初始位置，利用双光纤准直器对角度非常敏感的特性进行检测，根据光信号的损耗量与扭转角度的关系，经过光电转换与信号处理后测量出电流值。这种MEMS光电检流计，输入端无需放大电路，可达到安培至皮安量级电流的直接准确测量，克服了微弱电流信号放大过程中引起的噪声干扰和漂移等技术问题，同时可以实现输入端与输出端的光电隔离，是一种体积小、结构简单、成本低、可以批量生产和抗震性好的高灵敏度光电检流计。
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公开(公告)号：CN100492025C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610026522.4
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/02
Abstract: 本发明是一种基于微电子机械系统的光学电流传感器，其特征在于采用微机械工艺将MEMS金属线圈制作于MEMS扭转微镜上，非磁性骨架结构的Rogowski线圈和MEMS金属线圈将高压交流电信号以感应电流的形式引入到MEMS扭转微镜的线圈中，在MEMS扭转微镜的背面制作反射镜面，镜面将在电磁力矩的作用下绕轴摆动，采用对角度非常敏感的光束耦合方式能够精确测量出镜面摆动角度，就可以获知电流值。这种光学电流传感器将MEMS技术运用到高压大电流检测中，以感应电流驱动，在高压端无需驱动电源，实现了光电隔离，具有体积小、成本低、可批量生产、抗干扰等优点，具有较高的测试精度和灵敏度，是一种具有应用前景的光学电流传感器。
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公开(公告)号：CN1912646A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610030766.X
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/02 , G01R33/032 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。
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公开(公告)号：CN1827522A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610023325.7
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种低温圆片级微型气体盒的制作方法，其特征在于利用苯并环丁烯材料进行材料键合和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术，在250℃的低温条件下键合，实现芯片级气体盒的圆片级气密性封装键合，包括芯片级原子钟气体盒、高精度磁场传感器气体盒、原子反馈式微光稳频装置的原子气体盒、原子滤光器的原子气体盒或微光学法布里－珀罗腔制作，键合后BCB胶厚度为0.2μm，密封腔体He气的气密性达2.1～5.9×10－4Pa cm3/s，键合强度大于4.65MPa以及热循环可靠性完全达到微电子器件的封装标准。
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