公开(公告)号：CN1912646B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200610030766.X

申请日：2006-09-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  刘玉菲 ,  李四华 ,  万助军

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/032 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。

公开(公告)号：CN1912646A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610030766.X

申请日：2006-09-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  刘玉菲 ,  李四华 ,  万助军

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/032 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。